Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U000026, 0118U006098 , Науково-дослідна робота Назва роботи Високоефективні детектори терагерцового випромінювання на основі кадмій-ртуть-телур наноструктур. Назва етапу роботи Керівник роботи Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, Дата реєстрації 09-01-2019 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Для розробки наноболометрів і польових нанотранзисторів на основі 2D каналу КЯ HgTe в тестові структури з керованим напругою каналом різної геометрії було вварено контакти; здійснено монтаж в корпус і в кріостат; виміряно вольт-амперні характеристики структур при азотній і кімнатній температурі і визначено робочі режими; досліджено чутливість тестових структур до ТГц випромінювання. Потужність еквівалентна шуму детектора NEP (6x10 -8 В/Гц1/2) на частоті 140 ГГц і є достатньою для розробки активного детектора ТГц діапазону. Параметри детектора на квантовій ямі HgTe можуть бути покращені при узгодженні імпедансів квантової ями і антени, оптимізації складу КЯ та концентрації носів заряду. Розроблено конструкцію польового транзистора на базі двошарового графену. Виготовлено топологічні креслення. Графеновий транзистор являє собою ексфолійований шар графену, що розташований між двома шарами hBN, що управляється напругою двох затворів. Було проведено серію вимірювань вольт-амперних характеристик виготовленого транзистора при кімнатній температурі і екстраговано параметри транзистора. На базі цих досліджень було сформовано вимоги до оптимізації конструкції, що покращить параметри структури. Проведена попередня серія імпульсних вимірів в ТГц діапазоні для дослідження механізмів фоточутливості. Опис продукції Для розробки конструкції польових нанотранзисторів на основі управляємого полем 2D каналу HgTe з інвертованою зонною структурою для детектування ТГц сигналу були вварені індієві контакти безпосередньо через шар діелектрика до КЯ, здійснено монтаж тестової структури в корпус, розварено контакти, здійснено монтаж корпуса в кріостат і розварено контакти до кріостата; виміряно вольт-амперні характеристики структур при азотній і кімнатній температурі і визначено робочі режими структур в якості детекторів ТГц діапазону; досліджено чутливість тестових структур до ТГц випромінювання; розраховано зонну структуру досліджуваної КЯ; розроблено рекомендації щодо оптимізації параметрів квантової ями для детектування суб-ТГц випромінювання. Графеновий транзистор являє собою ексфолійований шар графену BLG, що розташований між двома шарами нітріду бора, розташований на підкладці з р-Si, що грає роль нижнього затвору. На сформованому сендвічі була витравлена меза для формування бічних алюмінієвих контактів. Потім для ізо Автори роботи Вуйчик Микола Вячеславович Голенков Олександр Геннадійович Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна Лисюк Ігор Олександрович Мележик Євген Олександрович Сизов Федір Федорович Цибрій Зеновія Федорівна Шевчик-Шекера Анна Володимирівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити