Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U001106, 0116U008468 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дефекти радіаційного і технологічного походження та їхній вплив на властивості напівпровідникових матеріалів і світлодіодних структур. Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 14-01-2019 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Розраховано криві процесу трансформації А-центрів та змін інтенсивності смуг ІЧ-поглинання, пов'язаних із метастабільними станами дефекту СіОі, при відпалі електронно-опроміненого кремнію. Визначено енергії активації накопичення і відпалу попередників утворення стабільного СіОі-дефекту (1,1; 1,7; 2,5 еВ). Запропоновано модель метастабільної СіОі-пари. Виявлено зв'язок між появою в опромінених швидкими нейтронами реактора зразках n-Si і р-Si об'єднаних рівнів дивакансії та конфігураційними переходами дивакансії зі стану з більшою у стан з меншою дисторсією і навпаки. Показано, що деформація ґратки кремнію, зумовлена дефектами міжвузлового типу, зменшує ймовірність конфігураційної перебудови дивакансій, унаслідок чого зменшується концентрація об'єднаних рівнів двічі від'ємно (Ес - 0,23 еВ - в n-Si) і додатно (Еv + 0,283 еВ - в р-Si) заряджених дивакансій. Встановлено, що тривалий високотемпературний відпал (1200^oC, 72 год) зразків n-Si, незалежно від способу легування домішкою фосфору, сприяє генерації глибоких донорних центрів у разі як повільного, так і швидкого охолодження, і помітно знижує концентрацію носіїв заряду. У зразках, легованих через розплав, концентрація зменшується в 1,5 - 2 рази, в трансмутаційно легованих - у 1,5 - 3,5 раза, причому в останньому випадку ефект сильніше виражений при швидкому охолодженні. Виявлено, що в полі ультразвукової хвилі інтенсивність свічення GaP світлодіодів монотонно зменшується; після припинення дії ультразвуку спостерігається поступове відновлення інтенсивності випромінювальної рекомбінації. Встановлено, що деградаційні явища виникають унаслідок руйнівного впливу ультразвуку на зв'язані екситони та появи нерівноважних за кімнатної температури дислокаційних скупчень. Опис продукції Розраховано криві процесу трансформації А-центрів та змін інтенсивності смуг ІЧ-поглинання, пов'язаних із метастабільними станами дефекту СіОі, при відпалі е-опроміненого Si. Запропоновано модель метастабільної СіОі пари. Виявлено зв'язок між появою в опромінених швидкими нейтронами зразках n-Si і р-Si об'єднаних рівнів дивакансії та конфігураційними переходами дивакансії зі стану з більшою у стан з меншою дисторсією. Встановлено, що деградаційні явища виникають унаслідок руйнівного впливу УЗ на зв'язані екситони та появи нерівноважних при 300 K скупчень дислокацій. Автори роботи Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Конорева Оксана Володимирівна Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити