Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U001238, 0118U001921 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка та впровадження в промислове виробництво технології виготовлення НВЧ компонентів терагерцового діапазону на основі арсеніду галію Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 21-01-2019 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Мета роботи полягає в розробленні технології та впровадженні у виробництво вітчизняного конкурентноздатного ряду GaAs діодів Ганна субмікронного діапазону, який буде знаходитись на рівні кращих світових аналогів чи перевершувати їх. Актуальність даної проблеми полягає в необхідності створення технології арсенідгалієвої елементної бази для надвисокочастотних застосувань у галузях аерокосмічної техніки, зв’язку навігації та локації, медицини та безпеки. У проекті задіяно два підприємства: Науково-виробниче підприємство «Електрон-Карат», яке забезпечує ріст епітаксійних плівок арсеніду галію, та Державне підприємство «НДІ «Оріон», яке проводить виготовлення чіпів діодів Ганна, їх корпусування та дослідження. А також Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова, де проведено теоретичні розрахунки та дослідження тестових пластин. Цей проект може стати першим кроком до створення замкнутого циклу виготовлення арсенідгалієвих мікроелектронних компонент, що є актуальним з точки зору розвитку вітчизняних високих технологій. Методи досліджень – електрофізичні дослідження, Оже-електронна спектроскопія, растрова електронна та оптична мікроскопії, теоретичні розрахунки. Вивчені умови генерації надвисокочастотного випромінювання в коротких (нанорозмірних) діодних структурах A3 B5 з транспортом гарячих електронів в сильних електричних полях при наявності області від’ємної диференційної провідності на вольтамперній характеристиці та показана можливість реалізації генерації з обмеженим накопиченням об'ємного заряда без утворення доменів сильного поля. Отримані результати вказують шлях для практичної реалізації компактних, ефективних напівпровідникових генераторних діодів надвисокочастотного випромінювання (терагерцового діапазону), які будуть працювати при кімнатних температурах. Розроблена та апробована технологія виготовлення тестових TLM структур та чіпів діодів Ганна Запропоновано методику обробки данних електрофізичних досліджень, яка дозволяє отримати більш точні резутьтати вимірювання контактного опору та отримати додаткову інформацію за рахунок одночасного аналізу статистичних та просторових розподілів. Підготовлена технологічна база для виготовлення чіпів діодів Ганна. Проведені випробування чіпів показали можливості їх використання в діодах Ганна для роботи в діапазоні робочих частот 78-118 ГГц. Опис продукції Розроблено технологію та підготовано до впровадження у виробництво вітчизняного конкурентноздатного ряду GaAs діодів Ганна субмікронного діапазону. Вивчені умови генерації надвисокочастотного випромінювання в коротких (нанорозмірних) діодних структурах A3B5 з транспортом гарячих електронів в сильних електричних полях при наявності області від’ємної диференційної провідності на вольтамперній характеристиці та показана можливість реалізації генерації з обмеженим накопиченням об'ємного заряда без утворення доменів сильного поля. Отримані результати вказують шлях для практичної реалізації компактних, ефективних напівпровідникових генераторних діодів надвисокочастотного випромінювання (терагерцового діапазону), які будуть працювати при кімнатних температурах. Розроблена та апробована технологія виготовлення тестових TLM структур та чіпів діодів Ганна Запропоновано методику обробки данних електрофізичних досліджень, яка дозволяє отримати більш точн Автори роботи Кочелап В"ячеслав Олександрович Кудрик Ярослав Ярославович Шинкаренко Володимир Вікторович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити