Реєстраційний номер
0219U001553,
0118U004956
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Новітні переходи Джозефсона із резонансно-перколяційним типом транспорту заряду для надпровідникових квантових пристроїв, що використовуються в галузі інформаційних та комунікаційних технологій
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Шатернік Володимир Євгенович,
Дата реєстрації
06-02-2019
Організація виконавець
Інститут металофізики ім. Г.В.Курдюмова НАН України
Опис етапу
Виготовлені та досліджені два типи гетероструктур із двома та трьома шарами надпровіднику (MoRe), між якими створено нанорозмірні напівпровідникові (суміш кремнію та оксиду кремнію) плівки із вольфрамовими (W) нанородами в них. Показано, що при експериментальному дослідженні створених п'ятишарових гетероструктур виявлено ефект впливу виникаючого дисипативного стану в середньому шарі цієї гетероструктури MoRe-Si(W)-MoRe-Si(W)-MoRe на ВАХ цієї гетероструктури в цілому. Цей вплив спостерігається як перемикання вищезгаданої гетероструктури із надпровідного стану із малою дисипацією до режиму її скінченної провідності, що ініційовано виникненням додаткових центрів проковзування фази в середньому надпровідному MoRe шарі гетероструктури. Цей ефект обумовлений нерівноважною заселеністю енергетичних рівнів в середньому шарі надпровіднику, яка в свою чергу стимулюється багаторазовими андріївськими відбиттями квазічастинок середнього шару надпровіднику.
Опис продукції
Розроблений метод визначення параметрів надпровідникових гетероструктур MoRe-Si(W)-MoRe-Si(W)-MoRe із гібридними бар'єрами, що демонструють перемикання гетероструктури із надпровідного стану із малою дисипацією до режиму її скінченної провідності, що ініційовано виникненням додаткових центрів проковзування фази в середньому надпровідному MoRe шарі гетероструктури.
Автори роботи
Білоголовський М.О.
Суворов О.Ю.
Шаповалов А.П.
Шатернік В.Є.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
