Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0219U001583, 0116U004569 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив гама-опромінення і оптичного поля на фотолюмінесцентні та фотоелектричні властивості халькогенідних напівпровідників легованих рідкісноземельними металами Назва етапу роботи Керівник роботи Кітик Іван Васильович, Дата реєстрації 07-02-2019 Організація виконавець Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Вперше досліджено вплив -опромінення на фотолюмінесцентні, п'єзо- та нелінійно-оптичні властивості кристалічних і склоподібних халькогенідів, які леговані Ербієм. Побудовано моделі енергетичних переходів в Er3+ іонах при збудженні лазером із довжиною хвилі 455, 488, 532, 805, 980 нм. Встановлено механізм релаксації збуджених станів в Er3+ іонах та їх випромінювання при переході на нижчі енергетичні стани на основі діаграми енергетичних рівнів в іонах Ербію. Показано, що фотоіндуковані п'єзо- та нелінійно-оптичні ефекти є чутливі як до зовнішнього гама опромінення, так і до впливу домішок із рідкісноземельних металів. Проведено аналіз локальних позицій основних катіонів і домішок та виявлено, що отримані фотоіндуковані ефекти є унікальними дослідженнями, з допомогою яких можна конструювати лазерні тригери, а також розвивати теорію нелінійно-оптичних сприйнятливостей у зовнішніх полях. За допомогою методики рентгеноструктурного аналізу разом із раманівською спектроскопією та комп'ютерним моделюванням дозволило отримати трьохмірні моделі структур багатокомпонентних халькогенідів. Розроблено методику використання двопучкового когерентного опромінення (на основі Er-скляного лазера із довжинами хвиль випромінювання 1540/770 нм) для генерації другої та третьої гармоніки в кристалах і стеклах. Опис продукції Опромінення кристалу проводиться джерелом 60Co на повітрі при температурі навколишнього середовища. Середня енергія падаючих -променів становить близько 1,25 МеВ. Поглинута доза вимірюється з використанням пристрою VDEG2-34 SP-1 для виявлення і вимірювання ?-квантів. Діапазон реєстрації ?-променів варіюється в межах значень 0,05 - 3 МеВ. Автори роботи Іващенко Інна Алімівна Галян Володимир Володимирович Данилюк Ірина Вікторівна Кітик Іван Васильович Кевшин Андрій Григорович Мудрий Степан Іванович Олексеюк Іван Дмитрович Сачук Юрій Володимирович Шаварова Ганна Петрівна Шевчук Микола Вікторович Юхимчук Володимир Олександрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
1
Керівник: Кітик Іван Васильович. Вплив гама-опромінення і оптичного поля на фотолюмінесцентні та фотоелектричні властивості халькогенідних напівпровідників легованих рідкісноземельними металами. (Етап: ). Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки. № 0219U001583
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17