Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U001834, 0115U006920 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження кристалоутворення матеріалів на основі BiTe у плоских щілинах Назва етапу роботи Керівник роботи Анатичук Лук'ян Іванович, Дата реєстрації 11-03-2019 Організація виконавець Інститут термоелектрики Національної академії наук та Міністерства освіти і науки України Опис етапу Звіт про НДР: 92 - с., 39 - рис., 74 джерела інформації. ТЕРМОЕЛЕКТРИКА, ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ МАТЕРІАЛИ, КРИСТАЛОУТВОРЕННЯ, ТЕХНОЛОГІЯ ВИРОЩУВАННЯ. Об'єкт дослідження - об'ємний кристалічний термоелектричний матеріал на основі холькогенидів вісмуту та сурми, методи та обладнання для вирощування термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те у плоских щілинах. Мета роботи - створення матеріалознавчих основ для розробки технології вирощування термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те у плоских щілинах, що дозволяє отримувати термоелектричний матеріал у вигляді злитків плоскої форми з площинами спайності, перпендикулярними тригональній вісі кристалів, орієнтованими вздовж граней контейнера. У результаті виконання проекту було проведено цикл теоретичних досліджень з кінетики кристалоутворення анізотропних термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те у плоских щілинах. Встановлено особливості кристалоутворення матеріалів на основі Ві-Те з врахуванням анізотропії швидкості росту та впливу поверхневих явищ. Визначено вплив поверхневих явищ на орієнтацію площин спайності монокристалів твердих розчинів на основі телуриду вісмуту відносно вертикальних стінок щілинного контейнера. Розроблено фізичну модель процесу вирощування монокристалів термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те. Визначено вплив геометрії щілинного контейнера на орієнтацію та ступінь паралельності площин спайності монокристалів твердих речовин на основі телуриду вісмуту. Визначено розподіл температури в щілинному кристалізаторі та вплив температурних режимів на фронт кристалізації. Знайдено оптимальні температурні умови для формування монокристалічної структури в щілинних кристалізаторах при вирощуванні твердих розчинів на основі Ві-Те. З врахування отриманих результатів теоретичних досліджень розроблено та створено спеціальне технологічне обладнання для вирощування термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те у плоских щілинах, яке базується на методі спрямованої кристалізації з розплаву. На вказаному обладнанні проведено комплекс експериментальних робіт по визначенню оптимальних умов вирощування монокристалічних зразків термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те. З використанням отриманих результатів теоретичних та експериментальних досліджень розроблено технологію вирощування високоякісних термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те, призначених для виготовлення термоелектричних модулів охолодження підвищенної надійності для довготривалого функціонування в космічних апаратах. Умови одержання звіту: за договором, 03150, Київ-171, вул. Антоновича, 180. Опис продукції У результаті виконання проекту було проведено цикл теоретичних досліджень з кінетики кристалоутворення анізотропних термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те у плоских щілинах. Встановлено особливості кристалоутворення матеріалів на основі Ві-Те з врахуванням анізотропії швидкості росту та впливу поверхневих явищ. Визначено вплив поверхневих явищ на орієнтацію площин спайності монокристалів твердих розчинів на основі телуриду вісмуту відносно вертикальних стінок щілинного контейнера. Розроблено фізичну модель процесу вирощування монокристалів термоелектричних матеріалів на основі Ві-Те. Визначено вплив геометрії щілинного контейнера на орієнтацію та ступінь паралельності площин спайності монокристалів твердих речовин на основі телуриду вісмуту. Визначено розподіл температури в щілинному кристалізаторі та вплив температурних режимів на фронт кристалізації. Знайдено оптимальні температурні умови для формування монокристалічної структури в щілинних кристалізаторах при вирощуванні твердих розчинів на основ Автори роботи Горський Петро Володимирович Ліліцак Василь Ністорович Ніцович О.В. Разіньков Валерій Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити