Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U003361, 0116U002528 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні засади функціонування нового покоління високоефективних детекторів на основі твердотільних наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Скришевський Валерій Антонович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 11-02-2019 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Створено прототипи сенсорних структур на основі глибоких кремнієвих p-n переходів з функцією "електронного носу". Ефективність їх може суттєво залежати від типу електричної провідності освітлюваної області. Напівпровідникова кремнієва пластина з тонким шаром діелектрика на поверхні може виконувати функцію електронного екрана для утворення зображень біологічних клітин. Вивчено особливості функціонування комбінованих водневих джерел енергії на основі пористого кремнію для живлення сенсорних систем. Розроблено та оптимізовано технології виготовлення наноматеріалів для сенсорних структур (нанокристали кремнію в матриці SiO2, шаруваті структури SiO2-ncSi-SiO2). Показано, що вільні шари пористого карбіду кремнія (PSiC) можуть бути перспективним матеріалом для створення газових сенсорів. Експериментально досліджено фізичні властивості наноматеріалів (кремнієвих нанодротів (Si-NW)) для використання в сенсорних структурах, а також можливості модифікації поверхні (плівки Si-Gd-O). Розроблено схеми спряження датчиків газів і рідин до мобільних пристроїв на основі Аndroid. Запропоновано адаптацію методу штучних нейронних мереж до задач експрес-аналізу складу газового та рідинного середовища. Опис продукції Показано, що створення штучної неоднорідності на робочій поверхні глибокого переходу (модифікації частини робочої поверхні органічними та неорганічними шарами) є ключовим фактором для розробки сенсорних систем типу "електронного носу" на основі глибокого p-n переходу. Створено прототипи сенсорних структур, які мають функцію електронного екрана для системи утворення зображень біологічних клітин. Експериментально показано, що сенсорні структури на основі наноструктурованого GaAs та пористого SiC можна використовувати в якості датчиків на пари етанолу з електричним принципом перетворення. Створено прототип штучної нейронної мережі. Показано, що одношарова схема мережі дозволяє розділити воду та спирти за допомогою сенсорної структури на основі глибоких переходів. Автори роботи Іванов Іван Іванович Бунак Сергій Валерійович Гаврильченко Ірина Валеріївна Евтух Анатолій Антонович Козинець Олексій Володимирович Костюкевич Олександр Миколайович Литвиненко Сергій Васильович Мілованов Юрій Сергійович Манілов Антон Ігорович Марін Володимир Володимирович Опилат Віталій Якович Пилипова (Стеблова) Ольга Вікторівна Скришевський Валерій Антонович Федорченко Микола Іванович Циганова Ганна Іскаківна Шулімов Юрій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити