Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U003605, 0116U000809 , Науково-дослідна робота Назва роботи Активні твердотілі елементи для генерації, помноження частоти та випромінювання електромагнітних хвиль у терагерцовому діапазоні. Назва етапу роботи Керівник роботи Аркуша Юрій Васильович, Боцула Олег Вікторович, Дата реєстрації 04-02-2019 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкт дослідження - ефекти пов'язані з ударною іонізацією, тунелюванням та міждолинним переносом електронів, що призводять до генерації електромагнітних коливань в мм- та терагерцовому діапазонах або отримання їх за рахунок помноження частоти та процеси формування електромагнітних полів напівпровідниковими структурами. Мета роботи - пошук нових та вдосконалення існуючих активних елементів для генерації, помноження частоти та випромінювання в терагерцовому діапазоні. Метод дослідження - математичне моделювання фізичних процесів у напівпровідникових структурах із МПЕ і ударною іонізацією, квантоворозмірних структурах на основі подвійних та потрійних сполук напівпровідників А3В5 в тому числі нітридів, методом Монте-Карло, методом усередненням кінетичного рівняння Больцмана та розв'язанням системи рівнянь Максвелла в часовій області. Актуальність роботи зумовлена необхідністю створення нових напівпровідникових приладів для генерації та випромінювальних елементів у вказаних діапазонах довжин хвиль. Новизна роботи полягає в виявленні закономірностей, що дозволять підвищити потужність існуючих активних елементів та модифікувати їх структуру для підвищення ефективності та граничних частот роботи, виявленню нових фізичні явищ та властивостей та створення нових активних елементів та конструкцій на їх основі для роботи в терагерцовому діапазоні. В роботі досліджено фізичні процеси в приладах з різними активним бічними границями - резонансно-тунельною, n+ , тунельно- тріодною та тунельною границею з тунельним анодом в коротких діодних структурах на основі варизонних напівпровідників з ударною іонізацією. Проведено пошук оптимальних конфігурацій діодів з МПЕ на основі складних напівпровідникових сполук для роботи в широкому діапазоні частот, що за своїми характеристиками перевищують існуючі. Досліджена можливість перетворення частоти в терагерцовому діапазоні з використанням активних напівпровідникових елементів за рахунок помноження, генерації гармонік та випромінювання. Опис продукції Побудовано ефективні для застосування в системах автоматизованого проектування математичні моделі та створено ефективний числовий алгоритм та програми розрахунку для аналізу динаміки виникнення нестійкостей струму в напівпровідникових структурах в умовах координатної залежності складу напівпровідника та виникнення ударної іонізації з урахуванням складної геометрії структури, що досліджується. Розроблено математичну модель для дослідження коротких діодів в сендвіч і планарному варіанті в діапазоні температур. Автори роботи І.П. Стороженко К.Г. Приходько Л.І. Ткачук Л.В. Головко М.Є. Полянський О.В. Боцула О.В. Плотнікова О.В. Ярошенко Ю.В. Аркуша Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити