Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U005089, 0117U006419 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка прототипу конденсатора надвисокої ємності на базі шаруватих напівпровідникових структур. Назва етапу роботи Керівник роботи Жирко Юрій Іванович, Дата реєстрації 10-05-2019 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Об'єкти дослідження: шаруваті напівпровідникові кристали InSe і GaSe інтеркальовані розплавами сегнетових солей MeNO3, (Me = K, Na, Rb, Cs). Мета роботи: розробити методи інтеркалювання шаруватих напівпровідникових кристалів InSe і GaSe розплавами сегнетових солей MeNO3, (Me = K, Na, Rb, Cs) і дослідити електричні, діелектричні та морфологічні властивості таких структур з метою їх використання в якості робочих матеріалів твердотільних конденсаторів надвисокої ємності. Методи дослідження: електричні, дієлектричні, XPS, та атомних-сил дослідження шаруватих напівпровідникових кристалів групи А3В6 інтеркальованих розплавами сегнетових солей RbNO3 і CsNO3. Розроблено конструкцію пічки для інтеркалювання шаруватих кристалів InSe i GaSe солями MeNO3, (Me = K, Na, Rb, Cs). Досліджені електричні властивості та проведені імпедансні дослідження InSe, інтеркальованого KNO3. Досліджено хімічний склад і морфологію поверхні та проведені XPS дослідження отриманих іонотронних наноструктур InSe ? RbNO3. Опис продукції Принципи технології виготовлення твердотільного накопичувача електричної енергії на основі шаруватого кристалу, що відрізняється застосуванням методики інтеркалювання розплавами сегнетових солей для підвищення ємності накопичувача. Автори роботи Грехов Василь Михайлович Жирко Юрій Іванович Скубенко Микола Андрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити