Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0219U100009, 0118U004758 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження нанорозмірних плазмонних структур типу "металічна гратка - напівпровідникова гетероструктура" як базових елементів нових джерел терагерцового випромінювання створених на основі методик ультрафіолетової інтерференційної літографії Назва етапу роботи Керівник роботи Коротєєв Вадим Вячеславович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 02-01-2019 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу  В рамках виконання проекту була розроблена кінетична теорія плазмонних нестійкостей, які індукуються зовнішнім електричним полем в каналі низьколегованих квантових гетероструктур на основі AIIIBV напівпровідникових сполук. Встановлено, що AlGaAs/GaAs плазмонна структура з періодом металічної гратки ~100-200 нм при легуваннях провідного каналу порядку 1-3х1011 см-2, володіє вікнами від’ємного поглинання і може підсилювати терагерцове випромінювання в діапазоні частот 2-4 ТГц. Показано, що для генерації більш низькочастотного випромінювання в суб-ТГц діапазоні частот можна використовувати епітаксійні плівки низьколегованого GaN при прикладанні полів порядку 3 кВ/см. Експерименти з терагерцової спектроскопії плазмонних структур на основі низьколегованих AlGaN/GaN квантових ям виявили ефект збільшення поглинання субтерагерцового випромінювання індукованого субхвильовими плазмонними елементами. Був ідентифікований плазмонний резонанс, а форма виміряних спектрів пропускання описується теоретичними розрахунками. Опис продукції Розроблена строга кінетична теорія плазмонних нестійкостей та електродинамічна теорія взаємодії терагерцового випромінювання з гратковими плазмонними структурами на основі AIIIBV напівпровідникових гетероструктур з низьким легуваннням. Отримані геометричні параметри структури, інтервали прикладених полів, температури при яких досягається генерація електромагнітного випромінювання в області частот 0.5-3 ТГц. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
1
Керівник: Коротєєв Вадим Вячеславович. Дослідження нанорозмірних плазмонних структур типу "металічна гратка - напівпровідникова гетероструктура" як базових елементів нових джерел терагерцового випромінювання створених на основі методик ультрафіолетової інтерференційної літографії. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0219U100009
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16