Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U100060, 0117U004020 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кінетика росту ниткоподібних нанокристалів сполук АIIIBV методом низькотемпературної газотранспортної епітаксії Назва етапу роботи Керівник роботи Губа Сергій Костянтинович, Кандидат технічних наук Дата реєстрації 14-01-2019 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Запропоновано теоретичну модель для розрахунку енергетичних характеристик поверхонь квантових точок InAs в матриці GaAs(100). Модель заснована на положеннях нерівноважної термодинаміки і фізики поверхонь. У роботі представлені результати розрахунків поверхневих енергетичних і адгезійних фізичних величин, а також тиски в околі ребер квантових точок InAs в матриці GaAs(100). За допомогою співідношення Юнга встановленні причини згину профілю нижньої частини кванової точки. Отриманні результати можуть бути використованні для оцінки механізмів релаксації напружень при самоорганізації КТ InAs в матриці GaAs(100). У даній роботі визначені основні кінетичні параметри для формування масиву квантових точок InAs в матриці GaAs при умовах хлорид-гідридної епітаксії. Опис продукції Розроблено технологічний маршрут росту одинарної квантової точки (КТ) InAs у структурі гетеронановіскера GaAs – КТ InAs – GaAs для багатоканального прямоточного реактора CVD-метода. Загальний час синтезу становить – 16 год. 31 хв. 23 сек. Отримані результати непогано узгоджуються із результатами досліджень експериментально отриманих структур із КТ InAs на поверхні GaAs(100), отриманих молекулярно-променевою та гідридною епітаксією Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити