Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U100434, 0115U001419 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка основ технології створення тандемних сонячних елементів на основі кремнію з нанокристалітами SiGe, SiC, SiEr та їх похідних Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-02-2019 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу Показано, що нанесення огранічного полімеру PEDOT:PSS на поверхню Si або поверхню з нанокластерами Ge на Si призводить до утворення потенційного бар’єру висотою 700 еВ, який обумовлює коефіцієнт корисної дії сонячних елементів порядка 7-10 %. Досліджено механізми росту нанокристалічних плівок Ge на поверхні Si(001) при низькій температурі та високій швидкості епітаксії. Показано, що осадження адатомів Si на поверхню плівки стимулює реконструкцію поверхні нанокристалітами і призводить до збільшення ступеня кристалічності Ge та змішування Si/Ge. Опис продукції Досліджено механізми росту нанокристалічних плівок Ge на поверхні Si(001) при низькій температурі та високій швидкості епітаксії. Показано, що осадження адатомів Si на поверхню плівки стимулює реконструкцію поверхні нанокристалітами і призводить до збільшення ступеня кристалічності Ge та змішування Si/Ge. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити