Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U100603, 0116U003513 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нанокомпозитні матеріали на основі шаруватих кристалів А3В6, вузькозонних напівпровідників А4В6, наноструктурованого вуглецю і твердих електролітів MeNO3(Me = K,Na,Rb, Cs) для виготовлення фотоперетворювачів і накопичувачів електричної енергії Назва етапу роботи Керівник роботи Ковалюк Захар Дмитрович, Дата реєстрації 20-02-2019 Організація виконавець Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича Національної академії наук України Опис етапу Об'єкт дослідження - нанокомпозитні матеріали на основі А3В6, А4В6, вуглецю і твердих електролітів. Мета роботи - одержання нанокомпозитних матеріалів для накопичувачів і перетворювачів електричної енергії з характеристиками, що кращі за існуючі аналоги. Методи дослідження - рентгенівський аналіз, атомно-силова мікроскопія, електричні та оптичні вимірювання, теоретичне моделювання. На основі гексагональних шаруватих кристалів A3B6, нанорозмірних включень кубічних кристалів вузькозонних напівпровідникових сполук A4B6, наноструктурованого вуглецю і твердих електролітів отримані нанокомпозитні матеріали, придатні для використання у фотоперетворювачах і накопичувачах електричного заряду. Досліджено їх хімічний склад, морфологію, електричні та оптичні властивості. Приведені приклади практичного використання отриманих матеріалів (бар'єри Шоткі, фотодетектор на основі In2Se3). Опис продукції Методами інтеркаляції та осадження у вакуумі отримані перспективні матеріали та наноструктури: нанокомпозитний матеріал InSe<RbNO3>; наноструктури графіту та напівпровідників А4В6 (PbSe, PbTe) на підкладках з InSe і GaSe; плівки InSe і In2Se3. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити