Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U100714, 0116U002578 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефекти наноструктуризації в боратних та халькогенідних матеріалах із структурою скла для прогресивних застосувань в оптоелектроніці Назва етапу роботи Керівник роботи Шпотюк Олег Йосипович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 01-03-2019 Організація виконавець Інститут фізичної оптики імені О.Г. Влоха Міністерства освіти і науки України Опис етапу  Досліджено композиційні особливості внутрішньо-структурних неоднорідностей в халькогенідних напівпровідникових стеклах (ХНС) та боратних стеклах (БС), викликані впровадженням металічних активаторів, проведено їх структурну та оптичну характеризацію, зокрема: - синтезовано БС LiKB4O7:Ag(Gd,Ag) і LiCaBO3:Ag (LiCaBO3:Gd,Ag) із сформованими відпалом наночастинками (НЧ) Ag; досліджено їх плазмонні спектри і нелінійно-оптичні властивості; оцінені розміри утворених НЧ (1.0-3.8 нм); розвинуто мікроструктурні механізми формування НЧ Ag в БС; - синтезовано Ga-модифіковані ХНС, оптимізовані Sb g-Ga2(As0.28Sb0.12Se0.60)98) та Te g-Ga2(As0.4Se0.6)88Te10), а також активовані РЗ йонами, виділено область їх гомогенності, фазового розшарування та кристалізації; параметризовано спектральні залежності оптичного пропускання в залежності від вмісту РЗ активаторів та Ga; - проведено мікроструктурну характеризацію функціональності в РЗ-активованих ХНС Gax[(As/Sb)2Se3]1-x; показано, що ХНС Ga2(As0.4Se0.6)88Te10, активовані РЗ йонами, можуть бути використані як ефективні середовища еванесцентних хвилеводних сенсорів; - параметризовано мікроструктуру поруватої будови БС Li2B4O7:Ag та ХНС As2Se3-Ga-РЗ; представлено інтерпретацію спектрів часів життя позитронів в метал-активованих БС і ХНС; розвинуто модель редукції позитронного трепінгу для прогнозування функціонування РЗ-активованих склуватих середовищ; - з використанням програмного пакету "Hyper-Chem" проведено квантово-хімічне моделювання ефектів впровадження активаторів в БС і ХНС. Обґрунтована методологія створення наноструктурних неоднорідностей в БС і ХНС з оптимізованими характеристиками для відтворюваних елементів ІЧ фотоніки, оптоелектроніки, сенсорної та оптотелекомунікаційної техніки. Запропоновано модель для опису фізичних закономірностей та природи формування НЧ в БС типу Li2B4O7:Ag(Cu) та ХНС на основі As2Se3-Ga-РЗ. Опис продукції Розвинутий комплексно-послідовно-систематичний підхід до проблеми стабілізації нано-структурних неоднорідностей в гомогенних середовищах, представлених ковалентними ХНС та іонно-ковалентними БС, а також запропоновано використання цього підходу як ключового розв’язання в розробці надійних склуватих матеріалів для новітньої оптоелектроніки, телекомунікаційної техніки та сенсорики. Автори роботи Адамів Володимир Теодорович Бойко Віталій Теодорович Влох Ростислав Орестович Крупич Олег Миколайович Мартинюк-Лотоцька Ірина Юріївна Мись Оксана Григорівна Падляк Богдан Володимирович Скаб Ігор Петрович Теслюк Ігор Михайлович Шпотюк Любов Йосипівна Шпотюк Олег Йосипович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити