Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0219U100811, 0116U005334 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка радіаційностійких гетеропереходів на основі шаруватих кристалів моноселенідів індію та галію Назва етапу роботи Керівник роботи Ковалюк Захар Дмитрович, Дата реєстрації 21-03-2019 Організація виконавець Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича Національної академії наук України Опис етапу  Методом Бріджмена вирощено монокристалічні зливки спеціально нелегованих та з Cd-, Zn-, In- та Sn-лігатурами сполук InSe та GaSe. Проведено опромінення високоенергетичними електронами (флюенс - 10^13-10^15 см-2, енергія - 10 МеВ) та гамма-квантами (флюенс - 10^13-10^16 см-2, енергія - 3 МеВ) шаруватих халькогенідів та створених на їх основі p-n-переходів. Уперше для n-InSe з різним вихідним питомим опором вивчено вплив різних доз е-опромінення на електричні властивості в різних кристалографічних напрямках. Зафіксовано зростання анізотропії провідності аж до рекордних значень (10^7 при 80 К), зафіксовано екстремуми в температурних залежностях коефіцієнта Холла та рухливості електронів вздовж шарів. Результати пояснені в рамках моделі, що разом з 3D передбачає присутність 2D носіїв, які не приймають участь у перенесенні заряду впоперек шарів. Встановлено, що після опромінення число двовимірних електронів зростає більш як на порядок. Проаналізовано роль тунельного та активаційного механізмів перенесення заряду впоперек шарів. Встановлено, що після гамма-опромінення структур p-InSe-n-InSe, власний оксид-p-InSe та p-GaSe-n-InSe покращуються їх коефіцієнти випростовування, напруги холостого ходу, коефіцієнти неідеальності ВАХ, монохроматичні ампер- та вольт-ватні чутливості. Показано, що після дії високоенергетичних електронів спектральний контур фотовідгуку в структурах р-GaSe-n-ІnSe, р-n-ІnSe та власний оксид-р-ІnSe не змінюється, зокрема зберігається тонка структура екситона. Розроблено детектори Х-випромінювання суцільного спектра на основі гетеропереходів p-GaSe-n-InSe та CdTe - InSe, структури метал - напівпровідник In-GaSe:Sn-In. Коефіцієнт рентгеночутливості склав (2,1-3,2)x10^-8, (0,9-7,0)x10^-9 і (1,0-40)x10^-10 А хв/Р для структур метал - GaSe:Sn - метал, р-GaSe-n-ІnSe та CdTe - InSe відповідно. Опис продукції Отримано радіаційностійкі гомо- та гетеропереходи на основі шаруватих монокристалів InSe та GaSe. Встановлено, що після гамма- (флюенс - 10^13-10^16 см-2, енергія - 3 МеВ) та електронного (флюенс - 10^13-10^15 см-2, енергія - 10 МеВ) опромінення структур р-n-ІnSe, власний оксид-p-InSe та p-GaSe-n-InSe спостерігається поліпшення їх електричних та фотоелектричних характеристик, а форми спектрів фотовідгуку практично не змінюються. Розроблено детектори Х-випромінювання суцільного спектра. Фотоелектричні параметри досліджених бар"єрних структур на основі шаруватих моноселенідів індію та галію практично не деградують при вивчених умовах гамма- та електронного опромінення. В той же час найпоширеніші в сучасній електроніці кремнієві фотодіоди при таких же режимах опромінення не задовольняють критеріям радіаційної стійкості. Економічні переваги пропонованих радіаційностійких бар"єрних структур визначаються дешевизною та низькою енерговитратністю застосованих технологій їх реалізації, що базуються на методах прямого оптичного контакту напівпровідників та їх термічного окислення. Розроблені бар"єрні структури не містять сильнотоксичні хімічні речовини і тому є екологічно безпечними. Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити