Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U000099, 0116U002919 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження змін фізичних властивостей напівпровідників та приладів на їх основі за різної комбінації зовнішніх впливів Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 14-01-2020 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Встановлено, що застосування альфа-частинок МеВ-ного діапазону енергій дає змогу отримувати різну за морфологією та властивостями структуру поверхні опроміненого кремнію. Показано принципову можливість використання модифікованої опроміненням поверхні як газового сенсора або матриці для створення наноструктурованого композитного матеріалу. Виявлено, що в результаті ультразвукової обробки GaAs0,55P0,45 світлодіодів інтенсивність їхнього свічення зменшується, а після припинення дії ультразвуку спостерігається процес релаксації випромінювання до попередніх значень. Показано, що опромінення електронами з енергією Е=2 МеВ призводить до експоненційного падіння інтенсивності випромінювання. З'ясовано, що радіаційна деградація інтенсивності електролюмінесценції відбувається внаслідок уведення в кристал безвипромінювальних рівнів дефектів та руйнування їх полями основних центрів свічення - зв'язаних екситонів. Виявлено у спектрах електролюмінісценції червоних фосфід-галієвих світлодіодів GaP(Zn,О) при 77 K, окрім основної смуги випромінювання hv1=1,845 еВ, додаткову короткохвильову компоненту hv2=2,206 еВ, існування якої пов'язано з донорно-акцепторними переходами між парами Zn-Sn. Особливості цієї смуги - зростання інтенсивності при малих (до 50 мА) струмах та зумовлене тепловим ефектом падіння при великих (понад 90 мА). Виявлено тензоопір у неопромінених кристалах n-Si у разі симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів, величина якого зменшувалася при гамма-опроміненні. Показано, що ці ефекти можна пояснити відповідно зміною рухливості електронів у зоні провідності внаслідок зростання поперечної ефективної маси і виникненням нових глибоких центрів під дією опромінення. Опис продукції Виявлено зміну оптичних констант і збільшення шорсткості поверхні Si при опроміненні високоенергетичними альфа-частинками. Виявлено деградацію інтенсивності електролюмінесценції опромінених 2 МеВ електронами світлодіодів GaAsP внаслідок уведення безвипромінювальних рівнів радіаційних дефектів та руйнування їхніми полями основних центрів свічення - зв'язаних екситонів. Виявлено тензоопір у неопромінених кристалах n-Si у разі симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів, величина якого зменшувалася при гамма-опроміненні. Автори роботи Єрмольчик Володимир Олександрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Конорева Оксана Володимирівна Ластовецький Володимир Францевич Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити