Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U000100, 0116U008468 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дефекти радіаційного і технологічного походження та їхній вплив на властивості напівпровідникових матеріалів і світлодіодних структур. Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Дата реєстрації 14-01-2020 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Встановлено, що донорні рівні Ec - 0,25 еВ, Ec - 0,50 еВ і Ec - 0,60 еВ з концентраціями 7x10^16, 9x10^16 і 3,1x10^16 см^-3 відповідають основним компенсувальним центрам, які виникають в опроміненому 1 МеВ електронами р-GaP. З'ясовано, що в процесі відпалу опромінених кристалів спостерігається інтенсивна взаємодія радіаційних дефектів, що призводить до утворення термостабільних дефектів. Досліджено вплив радіаційно-акустичної обробки на ефективність електролюмінесценції гамма-опромінених (Со^60) зразків GaP при 300 K. Виявлено, що малі дози ультразвуку (t<100 хв при v = 3 МГц і w = 0,1 Вт/см^2) збільшують квантовий вихід світлодіодів, тоді як за великих часів експозиції інтенсивність свічення зменшується. Встановлено, що відпал дислокацій, введених у GaP ультразвуковою обробкою, відбувається при 400-500^oC. Виявлено, що в світлодіодах ультрафіолетового випромінювання зі спектральним максимумом на довжині хвилі 365 нм (гетероструктури InGaN/AlGaN/GaN) вольт-амперна характеристика при 77 K має S-тип за рахунок переходу від монополярного (електрони) режиму інжекції до біполярного (електрони і дірки). З'ясовано, що зі зростанням стабілізованого струму на ділянці від'ємного диференційного опору відбувається різке підвищення інтенсивності основної ультрафіолетової і жовтої смуг електролюмінесценції за рахунок збільшення інжекції дірок та рекомбінації на глибоких рівнях дефектів. Встановлено, що трансмутаційно леговані кристали n-кремнію, температурні залежності ефекту Холла яких виявляють сліди глибоких центрів, характеризуються високою чутливістю до умов охолодження після високотемпературного відпалу, що знаходить сильний прояв у разі вимірювань ефекту тензоопору (аж до зміни його знака). Опис продукції Виявлено утворення термостабільних дефектів внаслідок інтенсивної взаємодії радіаційних дефектів у процесі відпалу опромінених електронами кристалів GaP. Одержано збільшення квантового виходу світлодіодів GaP за малих доз ультразвуку і зменшення інтенсивності свічення за великих часів експозиції. У світлодіодах ультрафіолетового випромінювання InGaN/AlGaN/GaN при 77 K виявлено S-тип вольт-амперної характеристики за рахунок переходу від монополярного режиму інжекції до біполярного. Виявлено ефект від'ємного тензоопору в трансмутаційно легованих кристалах Si. Автори роботи Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Конорева Оксана Володимирівна Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити