Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U000384, 0119U001790 , Науково-дослідна робота Назва роботи ІФН-2019/1 Назва етапу роботи Керівник роботи Кладько Василь Петрович, Дата реєстрації 03-02-2020 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Виготовлено лабораторні зразки інфрачервоних фотодіодів. Порівняння фоточутливості отриманих зразків виявило помітну різницю в чутливості елементів в інфрачервоному діапазоні спектру для фотодіодів, виготовлених за різними технологічними маршрутами. Фотодіоди на основі меза-структур з захисним діелектриком Si3N4, показали високу чутливість в ІЧ області і малі зворотні струми. В рамках виконання НДР розроблено конструкції корпусів супутників для кристалів InSb чутливих елементів з зовнішніми виводами. Опис продукції Розроблена конструкторська документація та технологічний маршрут виготовлення технологічної плати і корпусу, що забезпечує захист та збереження чіпів фотодіодів при дослідженнях електричних параметрів та міжопераційному транспортуванні.Розроблено модифікований корпус, який може бути використаний, як умовний корпус, так і, як комплектуючий елемент напівкапсули ФПП без демонтажу та монтажу ФЧЕ. Виготовлено 80 одно-елементних та 20 6-елементних фотодіодів з характеристиками, які відповідали вимогам ТЗ. Автори роботи Мелькик В.П. Романюк Б.М. Сапон С.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити