Реєстраційний номер
0220U000622,
0118U006048
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Створення та впровадження у малосерійне виробництво сенсорів ультрафіолетової радіації в якості комплектуючих до фоточутливої частини приладів нового покоління
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Павелець Сергій Юрійович,
Дата реєстрації
13-07-2020
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис етапу
1. Розроблені оптимальні технологічні режими планарної технології виготовлення УФ сенсорів на основі полікристалічних шарів напівпровідникових сполук А2В6, які дозволяють отримати максимальну фоточутливість в ультрафіолетовому діапазоні спектру і підвищення порогової чутливості сенсорів і підвищення диференційного опору. 2. Оптимізована технологія вирощування нанометрової плівки Cu1.8S на поверхні полікристалічного CdS з метою підвищення квантової ефективності УФ сенсорів у діапазоні 200...250 нм. Оптимізована топологія верхнього і нижнього струмоз'ємних електродів. Для реалізації запропонованої структури електродів, виготовлені відповідні механічні і магнітні маски та виготовлена оснастка для планарної технології вирощування поверхнево-бар'єрних структур р-Cu1.8S/n-А2В6. 3. Виготовлені УФ сенсори на основі поверхнево-бар'єрних структур Cu1.8S/А2В6 з фоточутливими складовими: CdS, CdTe, Zn0.6Cd0.4S та Zn0.7Cdо,3S. 1. The optimal technological modes of planar technology of making are worked out UV sensors on the basis of polycristalline layers of semiconductor connections of А2В6, that allow to get a maximal photo-response in the ultraviolet range of spectrum and increaseof threshold sensitiveness of touch-controls and increase ofdifferential resistance. 2. Optimized technology of growing of nanometer of thin films Cu1.8S on the surface of poycristalline CdS with theaim of increase of quantum efficiency UV sensors in the range of 200...250 nм. With the use of advantages of thin films structure the optimized topology of overhead and lower electrodes. For realization ofthe offered structure of electrodes, corresponding mechanical and magnetic masks and made rigging aremade for planar technology of growing of superficially-barrier structures of р-Cu1.8S/ n-А2В6. 3. Made UV sensors on the basis of superficially barrier structures of Cu1.8S/А2В6 with photosensibilitis films: CdS, CdTe, Zn 0.6 Cd0.4s and Zn0.7Cdо,3S.
Опис продукції
Автори роботи
Атдаєв Байрамгилич Сапаргиличович
Бобренко Юрій Миколайович
Козаченко Марія Василівна
Косарев Вячеслав Петрович
Павелець Сергій Юрійович
Семікіна Тетяна Вікторівна
Шереметова Галина Гнатівна
Додано/оновлено в НРАТ
2020-10-01
