Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U100018, 0117U004461 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вплив іонізуючих випромінювань на сучасні мікро- та наноматеріали сенсорної техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Большакова Інесса Антонівна, Доктор технічних наук Дата реєстрації 03-01-2020 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис етапу Розроблено методику in-situ дослідження електрофізичних параметрів напівпровідникових матеріалів III-V та одношарового графену під дією потоків іонізуючих випромінювань. Розроблено, виготовлено та апробовано необхідні для практичної реалізації цієї методики експериментальні зразки оснасток та вимірювальної апаратури з відповідним програмним забезпеченням. Експериментально досліджено вплив опромінення нейтронами, електронами та гамма-квантами на електрофізичні властивості мікромонокристалів та наноплівок In-вмісних напівпровідників (InAs, InSb), легованих різними типами домішок. Розроблено методику опромінення In-вмісних напівпровідникових сполук III-V потоками нейтронів з метою контрольованого ядерного легування цих матеріалів. Розроблено комплексну методику підвищення радіаційної стійкості In-вмісних напівпровідникових матеріалів III-V при високих дозах опромінення, яка поєднує методи металургійного легування в процесі вирощування матеріалу та ядерного легування в процесі його подальшого опромінення нейтронами. Шляхом комплексної модифікації сполук InAs та InSb отримано вдосконалені напівпровідникові матеріали електронної та сенсорної техніки, характеристики яких є стабільними при опроміненні швидкими нейтронами до флюенсів 1e22 н/кв.м., що відповідає рівням радіаційних навантажень на компоненти систем магнітної діагностики плазми, очікуваним в термоядерних реакторах нового покоління типу ITER. Вперше в світі експериментально підтверджено (in-situ) стабільність електрофізичних параметрів сенсорів на основі одношарового графену, а також його кристалічної структури (раманівська спектроскопія) при опроміненні нейтронами до флюенсу 4e20 н/кв.м. Для радіаційного тестування приладів на основі графену в потоках нейтронів до більших значень флюенсу необхідно вирішити проблему підвищення надійності та термічної стабільності електричних контактів метал-графен, що заплановано подальшими дослідженнями Опис продукції Комплексна методика підвищення радіаційної стійкості індій-вмісних напівпровідникових матеріалів III-V ґрунтується на поєднанні методів (i) металургійного легування матеріалу складними домішками в процесі його вирощування та (ii) подальшого ядерного легування в процесі опромінення нейтронами з відповідним енергетичним спектром, в якому переважають теплові нейтрони. Склад спектру нейтронів вибирається відповідно до типу використаних домішкових комплексів. Для забезпечення контролю ядерного легування додатково розроблено методику опромінення сполук III-V потоками нейтронів. а також необхідну для цього апаратури та програмне забезпечення. Комплексна методика була апробована на матеріалах InSb та InAs (мікромонокристали, наноплівки) та дозволила розширити діапазон стабільності їх електрофізичних характеристик в потоках швидких нейтронів до флюенсів 1e18 н/кв.см. Досягнута межа радіаційної стійкості є найвищою серед поширених в даний час напівпровідникових матеріалів електронної та сенсорної техніки. Автори роботи Васильєв Олександр Васильович Голяка Роман Любомирович Губа Сергій Костянтинович Гумен Степанія Степанівна Ковальова Неллі Володимирівна Когут Інна Володимирівна Кость Ярослав Ярославович Михащук Юрій Сергійович Мороз Анатолій Петрович Павлик Богдан Васильович Палиняк Ігор Володимирович Радішевський Максим Ігорович Шуригін Федір Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити