Реєстраційний номер
0220U100455,
0117U000633
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Синтез термодинамічно нестабільних фаз та технології остаточного формування оптико-електричних властивостей гетероструктур для оптоелектронних детекторів спеціального призначення
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Москвін Павло Петрович,
Дата реєстрації
20-01-2020
Організація виконавець
Державний університет "Житомирська політехніка"
Опис етапу
Розроблено та реалізовано термодинамічний метод для розрахунків положень спінодалей і бінодалей незмішуваності, які описують метастабільні і нестабільні стану напівпровідникових твердих розчинів класів А3В5 та А2В6. Виконано термодинамічний аналіз процесу формування модульованих за своїм складом шарів твердих розчинів напівпровідників, які синтезованих в умовах близьких до спінодального розпаду.
Методом анодного вакуумного напилення і методом «гарячої стінки» синтезовані шари надтонких плівок твердого розчину ZnHgTe на різних підкладках в термодинамічних умовах, які близькі до меж нестабільного стану матеріалу. AFM і SME зображення використані в якості вхідної інформації для кількісного опису морфології поверхні отриманих шарів методом мультифрактального аналізу. Проаналізовано залежності параметрів мультифрактальних спектрів, які описують площі поверхні і об’єми наноформ на поверхнях шарів, від технологічних умов їх синтезу. Досліджено вплив параметрів високоенергетичних нейтронів і швидких електронів на остаточні електрооптичні властивості твердих розчинів ZnCdTe. Знайдено умови опромінення шарів і гетероструктур, які забезпечують можливість їх приладових реалізації. Досліджено радіаційну стійкості та процеси деградації властивостей плівок CdZnTe під дією іонізуючого випромінювання.
Розроблено технологічний процес синтезу шарів напівпровідників методом детонаційного напилення. Вказаним методом синтезовано шари оксидів Pb0 і ZnO. Вивчено морфологія їх поверхні, а кількісний опис стану поверхні здійснено методом мультифрактального аналізу.
Отримано експериментальні дані за умовами проведення ІЧ лазерної епітаксії шарів напівпровідників класу А2В6 (ZnHgTe). Знайдені умови проведення лазерної епітаксії отримання шарів з керованими електрофізичними властивостями, що можуть буди застосовано для створення фото чутливих структур для приладів сучасної оптоелектроніки спеціального призначення.
Опис продукції
1. Математичне та програмне забезпечення, що дозволяє моделювати стан матеріалу в умовах його синтезу поблизу нестабільного стану, в залежності від температури та його складу.
2. Шари PbO та ZnО та експериментально знайдені технологічні умови проведення процесу їх синтезу методом детонаційної епітаксії та шари ZnО , що отримані золь–гель технологію при наднизьких температурах.
3. Шари ZnCdTe та умови проведення процесу їх опромінення швидкими нейтронами та електронами. Дані за впливом проникаючого опромінення на електрооптичні властивості шарів.
4. Шари та технологічні умови проведення ІЧ лазерної епітаксії напівпровідників системи А2В6. Результати досліджень кристалографічних та електрооптичних властивостей отриманих шарів в залежності від умов проведення синтезу та параметрів використаного лазерного випромінювання.
Автори роботи
Бекетов Геннадій Вікторович
Добряков Володимир Львович
Казаков Анатолій Іванович
Пляцко Сергій Володимирович
Рашковецький Любомир Васильович
Скуратівський Сергій Іванович Іванович
Шаповалов Геннадій Віталійович Віталійович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
