Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U100768, 0118U006302 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні властивості нових багатокомпонентних халькогенідів металів, перспективних для ефективного нелінійно-оптичного перетворення лазерного випромінювання середнього інфрачервоного діапазону. Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 27-01-2019 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу  Встановлено взаємозв’язок компонентних і структурних характеристик срібло- та свинцевовмісних чотирьохкомпонентних кристалів халькогенідів металів ІІІ і IV груп (типу Ag-Ga-Ge-Se i Pb-Ga-Ge-(S,Se)) із їх оптичними характеристиками. За результатами досліджень раманівського розсіювання світла змішаних кристалів AgxGaxGe1-хSe2 при варіюванні їхнього компонентного складу, зроблено висновок про двомодовий характер перебудови фононних спектрів. На основі теоретичних розрахунків методом функціоналу густини станів динаміки ґратки і атомних зміщень у різних типах коливних мод виконана інтерпретація всіх особливостей фононного спектру розсіювання кристалів AgxGaxGe1-xSe2. На основі експериментальних даних по прозорості кристалу AgGaGe3Se8 у ІЧ спектральній області встановлено, що його робочою областю для нелінійного перетворення випромінювання можна вважати діапазон від 0,6 до 15 – 16 мкм. Вперше експериментально досліджено спектри раманівського розсіювання перспективних нелінійно-оптичних кристалів PbGa2GeS6 і PbGa2GeSe6 для ближнього і середнього ІЧ діапазонів. Експериментально досліджено їхнє крайове міжзонне поглинання та встановлено значення непрямих ширин заборонених зон, які рівні 2,58 еВ і 1,96 еВ, відповідно. Вперше одержані фотолюмінесцентні дані для четверних кристалів сульфідів і селенідів срібла і свинцю. Зроблені висновки про природу енергетичних переходів, які відповідальні за міжзонну рекомбінацію носіїв заряду і переходи з участю глибоких енергетичних рівнів дефектів у забороненій зоні. Опис продукції Синтезовано кристали PbGa2GeS6 і PbGa2GeSe6 для ближнього і середнього ІЧ діапазонів з оптичними характеристиками перспективними для нелінійно-оптичного перетворення світла. Значення крайового міжзонного поглинання та непрямих ширин заборонених зон рівне 2.58 еВ і 1.96 еВ, відповідно. Робоча область для нелінійного перетворення випромінювання, для розроблених кристалів, становить в діапазоні від 0.6 до 15 – 16 мкм. Автори роботи Валах Михайло Якович Гаврилюк Євгеній Олегович Грещук Олександр Михайлович Джаган Володимир Миколайович Кончиць Андрій Андрійович Мазур Назар Володимирович Юхимчук Володимир Олександрович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити