Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U100850, 0117U002303 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові складні халькогеніди та галогеніди для нелінійної оптики, термо- та оптоелектроніки: синтез, структура і властивості Назва етапу роботи Керівник роботи Олексеюк Іван Дмитрович, Дата реєстрації 28-01-2020 Організація виконавець Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Вперше досліджено і побудовано діаграми стану систем PbS(Se)–Ga2S(Se)3–GeS(Se)2, в яких підтверджено утворення сполук: PbGa2GeSе6 і виявлено прогнозовану нами сполуку PbGa2GeS6. Вперше встановлено кристалічну структуру PbGa2GeS6 (нецентросиметрична ПГ Fdd2) та одержано її кристали у розмірах, достатніх для проведення фізичних вимірювань. Встановлено зонну структуру PbGa2GeS6, її оптичні параметри (Eg, область прозорості), а також генерацію другої та третьої гармонік. Встановлено інконґруентний тип утворення для -фаз, що існує між складами Pb4Ga4GeS(Sе)12-Pb3Ga2GeS(Sе)8. Методом Бріджмена-Стокбаргера одержано кристали PbGa2GeSe6, Pb2GeS4. Методами РФС та РЕС вивчено електронну структуру сполук PbGa2GeS6, PbGa2S4, PbGa2S5, Pb2GeS4 та PbGa6Te10, HgGa2Se4. Вперше побудовані діаграми фазових рівноваг систем PbGa2S(Se)4–SiS(Se)2, що характеризуються утворенням сполук еквімолярного складу PbGa2Si(Ge)X6. Вперше досліджено фазові рівноваги в системах TlGaS2–Zn(Cd,Hg)S i TlGaSe2–Zn(Cd, Hg, Fe)Se Ці системи є евтектичного типу із незначною розчинністю на основі компонентів. Вперше одержано кристали TlGa(In)S2:Zn2+(Cd2+,Hg2+) i TlGaSe2:Zn2+(Cd2+,Hg2+). Побудовано політермічні перерізи Cu2ZnGeS4-Cu2ZnSiS4, Cu2ZnGeS4-Cu2ZnSnS4, Cu2ZnSnS4-Cu2ZnSiS4, Cu2ZnGeSe4-Cu2ZnSnSe4, Cu2ZnGeSe4-Cu2ZnSiSe4, Cu2ZnSnS4-Cu2ZnSiSe4, Cu2ZnGeSe4–Cu2CdGeSe4. Cистеми характеризуються утворенням широких областей твердофазної розчинності на основі виxідниx сполук аж до утворення НРТР. Побудовано діаграми стану квазібінарних систем TlPb2Cl(Br)5 – МPb2Cl(Br)5 (М = K, Rb). Досліджені системи є евтектичного типу. Методом Бріджмена-Стокбаргера вирощено монокристал фази K0,45Tl0,55Pb2Br5 високої оптичної якості та розшифровано її кристалічну структуру в ПГ P21/c. Вперше одержано кристали AgGaGe3Se8:Lu3+, Er3+, Nd3+, (1-x)AgGaGeS4–xAgGaGe3Se8 (x=0.4, 0.6), для яких вивчено термоелектричні, оптичні та фотоелектричні властивості. Опис продукції Кристали PbGa2GeS6 є новим нелінійнооптичним матеріалом ближньої ІЧ-області, що переважає за своїми парамерами -BiB3O6, яка має рекордні показники генерації другої гармоніки (ГДГ) для 1064 нм. Властивості PbGa2GeS6 для середньої ІЧ-області ще не досліджувались, проте область його прозорості охоплює широкий спектральний діапазон, що дозволяє надіятись на перспективність його властивостей і для нього. Цікавими для НЛО застосування є і вперше одержані кристали селеновмісного аналога PbGa2GeSe6, ефективність ГДГ якого вдвічі більша за показники комерційного AgGaS2. В тренді сучасного світового рівня дослідження НЛО-матеріалів є і вирощені нами кристали AgGaGe3Se8:Lu3+(Er3+,Nd3+) та (1-x)AgGaGeS4–xAgGaGe3Se8 (x=0, 0.4, 0.5, 0.6, 1). Вони цікаві більшою стійкістю до дії лазерного випромінювання (2-3 рази) за AgGaS2. Тверді розчини значної протяжності на основі тетрарних сполук родини кестеритів Cu2Zn/CdDIVSe4 дозволяють розширити діапазон досліджень нових матеріалів для поглинаючого шару тонкоплівкових сонячних елементів. Компоненти перерізів Tl4HgI6–Tl6SI4 і Tl4HgI6–Tl6SeI4 характеризуються високими значення добутку e і h (Tl4HgI6 – e=10-4 см2/В, Tl6SeI4 – e=7·10−3 см2/В, h=6·10−4 см2/В, Tl6SI4 – e=2.1·10−3 см2/В, h=2.3·10−5 см2/В), які перевищують показники класичних PbI2, HgI2, BiI3 і досягають рекордні значення Cd1-xZnxTe, проте є економічні релевантніші за нього. Перерізи Tl4HgI6–Tl6SI4 і Tl4HgI6–Tl6SeI4 характеризуються необмеженою розчинністю в твердому стані, тобто дозволяють одержувати ряд речовин із плавною зміною параметрів, що є перспективним для пошуку нових матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання. Автори роботи Іващенко Інна Алімівна Галян Володимир Володимирович Замуруєва Оксана Валеріївна Кітик Іван Васильович Кадикало Елла Максимівна Кевшин Андрій Григорович Когут Юрій Миколайович Козер Василь Ростиславович Коровицький Андрій Михайлович Левковець Сергій Іванович Марушко Лариса Петрівна Марчук Олег Васильович Мирончук Галина Леонідівна Мозолюк Марія Юріївна Новосад Олексій Володимирович Олексеюк Іван Дмитрович Піскач Людмила Василівна Панкевич Володимир Зіновійович Парасюк Олег Васильович Пясецький Міхал Войцех Рудиш Мирон Ярославович Сливка Наталія Юріївна Строк Оксана Мар’янівна Тищенко Петро Васильович Федорчук Анатолій Олександрович Федосов Сергій Анатолійович Хижун Олег Юліанович Цісар Оксана Володимирівна Шаварова Ганна Петрівна Юрченко Оксана Миколаївна Янчук Олександр Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити