Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0220U100929, 0119U100326 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фізико-хімічних процесів у напівпровідникових наноматеріалах та їх інтерфейсах для приладів сенсорики та діагностики. Назва етапу роботи Керівник роботи Скришевський Валерій Антонович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 29-01-2020 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Об’єкт дослідження: твердотільні напівпровідникові наноматеріали, їх колоїдні розчини та процеси взаємодії в інтерфейсах напівпровідників та нанокомпозитів з аналітом. Мета роботи: створення фізико-хімічних засад функціювання високоефективних сенсорних та діагностичних систем для аналізу газів та рідинних розчинів. Методи дослідження: імпедансна спектроcкопія, фотолюмінесценція (ФЛ), скануюча електронна мікроскопія (SEM), фотоелектричні та електрофізичні методи, інфрачервона Фур’є спектроскопія (FTIR). Розроблено технологію створення нових наноматеріалів та структур для сенсорів (кремнієві нановістря з радіальним p-n переходом, пористий арсенид галію, вуглецеві наносфери). Показано, що обробка кремнієвих пластин р-типу у спиртово-водних розчинах хлориду заліза забезпечує контрольовану пасивацію поверхні кремнію, що дозволяє модифікувати поверхню пластини для систем сенсорів із функцією «електронного носу». Розроблено нову методику фукціоналізації вуглецевих наноматеріалів за рахунок фторування вуглецевих мікросфер, яка дозволяє отримати фторовмісні мікросфери для сенсорів, каталізаторів, паливних комірок. Досліджено оптичні, люмінесцентні, електричні, фотоелектричні ефекти в розроблених наноструктурованих напівпровідниках та вплив на ці ефекти газового середовища. Розглянуто фізичні принципи роботи напівпровідникових трансдьюсерів на основі бар’єрних структур з глибоким р-п переходом. Така структура реалізує принципово новий фотоелектричний принцип перетворення і є придатною для створення складних сенсорних систем. Для детекції вимірюється поверхневий розподіл фотоструму та його залежність від поляризаційної напруги між аналітом та підкладинкою. Продемонстровано можливість детекції розчинів солей хлорної кислоти за допомогою розробленого сенсору. Створено cенсорний екран, який дозволяє одержувати зображення біологічних клітин при їх нанесенні на поверхню напівпровідника. Опис продукції Розроблено технологію створення нових наноматеріалів та структур для сенсорів (кремнієві нановістря з радіальним p-n переходом, пористий арсенид галію, вуглецеві наносфери). Показано, що обробка кремнієвих пластин р-типу у спиртово-водних розчинах хлориду заліза забезпечує контрольовану пасивацію поверхні кремнію, що дозволяє модифікувати поверхню пластини для систем сенсорів із функцією «електронного носу». Розроблено нову методику фукціоналізації вуглецевих наноматеріалів за рахунок фторування вуглецевих мікросфер, яка дозволяє отримати фторовмісні мікросфери для сенсорів, каталізаторів, паливних комірок. Досліджено оптичні, люмінесцентні, електричні, фотоелектричні ефекти в розроблених наноструктурованих напівпровідниках та вплив на ці ефекти газового середовища. Розглянуто фізичні принципи роботи напівпровідникових трансдьюсерів на основі бар’єрних структур з глибоким р-п переходом. Така структура реалізує принципово новий фотоелектричний принцип перетворення і є придатною для створення складних сенсорних систем. Для детекції вимірюється поверхневий розподіл фотоструму та його залежність від поляризаційної напруги між аналітом та підкладинкою. Продемонстровано можливість детекції розчинів солей хлорної кислоти за допомогою розробленого сенсору. Створено cенсорний екран, який дозволяє одержувати зображення біологічних клітин при їх нанесенні на поверхню напівпровідника. В якості джерел живлення для сенсорів розглянуто сонячні елементи на основі масиву кремнієвих наноструктур з радіальним р-п переходом та воднева енергетична система на основі кремнієвого нанопорошку. Автори роботи Євтух Анатолій Антонович Іванов Іван Іванович Бунак Сергій Валерійович Гаврильченко Ірина Валеріївна Задерко Олександр Миколайович Козинець Олексій Володимирович Литвиненко Сергій Васильович Мілованов Юрій Сергійович Манілов Антон Ігорович Марін Володимир Володимирович Пилипова Ольга Вікторівна Скришевський Валерій Антонович Циганова Ганна Іскаківна Шулімов Юрій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Скришевський Валерій Антонович. Дослідження фізико-хімічних процесів у напівпровідникових наноматеріалах та їх інтерфейсах для приладів сенсорики та діагностики.. (Етап: ). Київський національний університет імені Тараса Шевченка. № 0220U100929
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16