Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U100967, 0115U001419 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка основ технології створення тандемних сонячних елементів на основі кремнію з нанокристалітами SiGe, SiC, SiEr та їх похідних Назва етапу роботи Керівник роботи Козирев Юрій Миколайович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 30-01-2020 Організація виконавець Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України Опис етапу  Роботу присвячено дослідженню морфології та механізмів формування, а також процесів рекомбінації носіїв заряду в кремнієвих бар’єрних структур з квантовими точками Ge та GeSi, вирощених методом молекулярно-променевої епітаксії на поверхнях Si(001) та SiO2/Si(001). Досліджено розподіли поверхневого потенціалу гетероструктур з нанооб’єктами Ge на поверхні Si(100) методом зонда Кельвіна та механізми його впливу на фотопровідність. Опис продукції Дана технологія призводить до формування нанокластерів Ge або Si з поверхневою густиною ~ 1011 - 1012 см-2. Встановлено, що нанесення Si на поверхню нанокластерів Ge призводить до подальшої реконструкції поверхні та формування полікристалічного кремнієвого покриття. Автори роботи Варавка Олена Володимирівна Кондратенко Сергій Вікторович Лисенко Сергій Володимирович Лобанов Віктор Васильович Теребінська Марія Іванівна Ткачук Ольга Іванівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити