Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U101170, 0118U000242 , Науково-дослідна робота Назва роботи Особливості фототермічних та фотоакустичних процесів в низькорозмірних напівпровідникових системах на основі кремнію Назва етапу роботи Керівник роботи Дубик Катерина Володимирівна, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 04-01-2020 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу  Об’єкт дослідження: фототермічні та фотоакустичні явища в напівпровідникових системах на основі кремнію, зокрема в мультишарових структурах на основі поруватого кремнію, при їхньому опроміненні гармонічно модульованим електромагнітним випромінюванням у видимому діапазоні. Предмет дослідження: процеси, які мають місце при фототермічних та фотоакустичних явищах в зазначених наноструктурованих напівпровідникових системах на основі кремнію при їхньому опроміненні гармонічно модульованим електромагнітним випромінюванням. Мета роботи: отримати фізичні закономірності фототермічного перетворення та формування фотоакустичного відгуку в напівпровідникових поруватих структурах на основі кремнію. Методи дослідження: фотоакустичні методи з газомікрофонною та п’єзоелектричною реєстрацією інформативного відгуку при опроміненні зразків гармонічно модульованим, або імпульсним електромагнітним випромінюванням у видимому діапазоні. Представлено математичні моделі, які описують особливості фототермічного перетворення в низьковимірних напівпровідни-кових системах на основі кремнію, розроблено програмне рішення для моделювання фототермічного перетворення в мультишарових структурах на основі кремнію. Встановлено залежність параметрів фотоакустичного відгуку від просторового розподілу діелектричних функцій в досліджуваній структурі, довжини хвилі джерела опромінення та теплопровідності досліджуваної мультишарової системи. Експериментально отримано залежність коефіцієнту теплопровідності мультишарової системи на основі поруватого кремнію від просторового розподілу періодично розташованих субмікронних шарів поруватого кремнію різної поруватості. Запропоновано модель, яка вказує на наявність теплового опору інтерфейсу між шарами поруватого кремнію різної поруватості. Отримано залежність величини цього опору від різниці поруватості між шарами поруватого кремнію. Опис продукції Представлено математичні моделі, які описують особливості фототермічного перетворення в низьковимірних напівпровідни-кових системах на основі кремнію, розроблено програмне рішення для моделювання фототермічного перетворення в мультишарових структурах на основі кремнію. Встановлено залежність параметрів фотоакустичного відгуку від просторового розподілу діелектричних функцій в досліджуваній структурі, довжини хвилі джерела опромінення та теплопровідності досліджуваної мультишарової системи. Експериментально отримано залежність коефіцієнту теплопровідності мультишарової системи на основі поруватого кремнію від просторового розподілу періодично розташованих субмікронних шарів поруватого кремнію різної поруватості. Запропоновано модель, яка вказує на наявність теплового опору інтерфейсу між шарами поруватого кремнію різної поруватості. Отримано залежність величини цього опору від різниці поруватості між шарами поруватого кремнію. Автори роботи Ісаєв Микола Вікторович Гребньов Олег Анатолійович Дубик Катерина Володимирівна Ліщук Павло Олександрович Маньковська Юлія Олегівна Чепела Леся Ігорівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити