Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U101317, 0117U000288 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка науково-технологічних основ отримання нелінійно-оптичних кристалів для генерації терагерцового та інфрачервоного випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Притула Ігор Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 07-02-2020 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу  Розроблено умови синтезу кристалічного порошку DAST (4-N,N-dimethylamino-4-N-methyl stilbazolium tosylate). Показано, що метанол є найбільш відповідним розчинником для вирощування кристалів DAST високої якості. Розроблено конструкцію ростового апарата для вирощування нелінійно-оптичних органічних (молекулярних) кристалів. Визначено оптимальні ростові параметри для росту кристалів DAST, яки визначаються умовами застосування кристалів в пристроях генерації або детектування ТГц випромінювання. Показано взаємозв’язок значення мікротвердості вирощених кристалів з характером розподілу дислокацій в них. Експериментальне дослідження генерації другої гармоніки та генерації ТГц випромінювання у кристалах DAST показало, що кристали DAST проявляють себе як перспективне джерело широкосмугового ТГц випромінювання особливо в порівнянні з відомими кристалічними матеріалами. Отримано композити SiO2/DAST на основі SiO2-матриць з різною пористістю (23, 48, і 78%). Виявлено вплив пористості матриць на спектральні властивості композитів SiO2/DAST. Положення смуги люмінесценції DAST залежить від пористості матриць і обумовлено взаємодією катіонів DAST з поверхнею матриці. Визначено технологічні умови синтезу ростової сировини для вирощування бінарних (GaSe) та потрійних (AgGaSe2) сполук халькогенідів. По методу Бриджмена під надлишковим тиском інертного газу вирощено крупноблочні злитки кристалічних матеріалів з високою оптичною нелінійністю. Досліджено вплив легування хромом на механічні властивості кристалів селеніду галію. Запропоновано спосіб підвищення мікротвердості кристалів GaSe. Опис продукції Кристалічні матеріали на основі органічної сполуки DAST та халькогеніди типу GaSe, AgGaSe2 є ефективними нелінійно-оптичними перетворювачами лазерного випромінювання з одними з найбільших високих значень нелінійної сприйнятливості другого порядку. Ці матеріали використовуються для генерації випромінювання в середньому ІЧ та терагерцовому спектральних діапазонах. Перевага даних матеріалів над аналогами полягає саме в високих значеннях нелінійної сприйнятливості. Робота була спрямована на розробко методів вирощування даних матеріалів та модифікації їх фізичних властивостей. В результаті виконання роботи запропоновано методику вирощування кристалів DAST розмірами, достатніми для використання в оптичних схемах та запропоновано методи підвищення механічної міцності кристалів селеніду галію, які мають високу шаруватість, пов’язану з ван-дер-ваальсовим характером зв’язку атомних шарів. Автори роботи Безкровна Ольга Миколаївна Воронов Олексій Петрович Долженкова Олена Федорівна Коваленко Назар Олегович Притула Ігор Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити