Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U101659, 0119U100176 , Науково-дослідна робота Назва роботи Закономірності спінзалежних процесів у кристалах і наноструктурах, розроблення методів проективних представлень груп симетрії для їхньої інтерпретації. Назва етапу роботи Керівник роботи Губанов Віктор Олександрович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 17-02-2020 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Об’єкт дослідження – Кристали гексагональної сингонії, лінійні π-електронні спряжені системи, одно- та двовимірні вуглеграфітові структури та їх неорганічні аналоги, нанокомпозити на їх основі. Мета роботи – дослідження енергетичних спектрів елементарних збуджень у кристалах, наноструктурах і нанокомпозитах та їх інтерпретація із залученням удосконалених методів побудови проективних представлень груп симетрії та методів квантової хімії. Методи дослідження – методи теорії груп симетрії, раманівська спектроскопія, спектрофотометрія, фотолюмінесценція, методи квантової хімії. Досліджено кореляцію коливальних мод, їх дисперсію та дисперсійні залежності електронних збуджень без врахування спіну електрона і із його врахуванням в одношаровому графені та кристалах графіту та кристалах гексагонального нітриду бора. Для проективних представлень всіх проективних класів гексагональної системи вперше побудовано стандартні фактор-системи, в тому числі вперше визначено фактор-системи для електронних станів, за допомогою яких вперше знайдено коректні таблиці множення спінорів, За допомогою симетрій них теоретико-групових методів для просторових груп симетрії одношарового графену і кристалічного графіту встановлено існування спінзалежних розщеплень енергетичних електронних спектрів, зокрема, розщеплень π-зон в точках Дірака, величина яких може бути значною, наприклад, для дихалькогенідів перехідних металів такої самої просторової групи симетрії, але є невеликою для одношарового графену і кристалічного графіту, оскільки вона обумовлена малою енергією спін-орбітальної взаємодії (~1,0÷1,5 меВ) для атомів вуглецю, і, як наслідок, є малою для всіх вуглецевих структур.  Опис продукції Досліджено кореляцію коливальних мод, їх дисперсію та дисперсійні залежності електронних збуджень без врахування спіну електрона і із його врахуванням в одношаровому графені та кристалах графіту та кристалах гексагонального нітриду бора. Для проективних представлень всіх проективних класів гексагональної системи вперше побудовано стандартні фактор-системи, в тому числі вперше визначено фактор-системи для електронних станів, за допомогою яких вперше знайдено коректні таблиці множення спінорів, За допомогою симетрій них теоретико-групових методів для просторових груп симетрії одношарового графену і кристалічного графіту встановлено існування спінзалежних розщеплень енергетичних електронних спектрів, зокрема, розщеплень π-зон в точках Дірака, величина яких може бути значною, наприклад, для дихалькогенідів перехідних металів такої самої просторової групи симетрії, але є невеликою для одношарового графену і кристалічного графіту, оскільки вона обумовлена малою енергією спін-орбітальної взаємодії (~1,0÷1,5 меВ) для атомів вуглецю, і, як наслідок, є малою для всіх вуглецевих структур. Автори роботи Білий Микола Михайлович Башмакова Наталія Володимирівна Гринь Дмитро Валерійович Губанов Віктор Олександрович Корнієнко Микола Євдокимович Навозенко Олександр Миколайович Науменко Антоніна Прокопівна Сабов Максим Мирославович Яхненко Маріанна Сергіївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити