Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U102810, 0120U100389 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фоточутливих НІТ структур на основі наноструктурованого кремнію Назва етапу роботи Керівник роботи Коваль Вікторія Михайлівна, Дата реєстрації 04-06-2020 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського" Опис етапу Об’єктом дослідження є кремнієві гетероструктури на основі нанокристалічного кремнію. Предмет роботи – дослідження структурних, електричних, фоточутливих та фотоелектричних властивостей кремнієвих гетероструктур на основі нанокристалічного кремнію. Мета роботи ‒ встановити оптимальні технологічні режими синтезу кремнієвих гетероструктур на основі нанокристалічного кремнію з точки зору одержання максимальної фоточутливості та фотоелектричних властивостей. В першому розділі подано аналіз структурних різновидів фотоелектричних перетворювачів. У другому розділі наведено фізико-технологічні умови синтезу та особливості наноструктурованого кремнію для використання його в сонячних елементах. У третьому розділі описано експериментальне обладнання та методи отримання дослідних зразків, досліджено структурні властивості кремнієвого шаруватого матеріалу, виміряно та проаналізовано електричні, фотоелектричні та фоточутливі властивості дослідних зразків. Опис продукції Технологія синтезу фоточутливих НІТ структур на основі наноструктурованого кремнію полягає у використанні методу іонно-променевого розпилення. Для синтезу кремнієвих шарів різного типу провідності (р, і та n) в якості мішені використовувались пластини з підвищеним вмістом бору, з низьким вмістом бору та з підвищеним вмістом фосфору відповідно. Комбінації з р-, і- та n-шарів, одержаних у визначеному діапазоні температур та часів осадження, можуть бути використані для побудови гетероструктурних фотоприймачів та фотоперетворювачів. Автори роботи Коваль Вікторія Михайлівна Додано в НРАТ 2020-07-03 Закрити