Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U103828, 0117U006419 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка прототипу конденсатора надвисокої ємності на базі шаруватих напівпровідникових структур. Назва етапу роботи Керівник роботи Жирко Юрій Іванович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 20-11-2020 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу  Об’єкти дослідження: шаруваті напівпровідникові кристали InSe і GaSe інтеркальовані розплавами сегнетових солей MeNO3, (Me = K, Na, Rb, Cs). Мета роботи: розробити методи інтеркалювання шаруватих напівпровідникових кристалів InSe і GaSe розплавами сегнетових солей MeNO3, (Me = K, Na, Rb, Cs); дослідити електричні, діелектричні та морфологічні властивості таких структур з метою їх використання в якості робочих матеріалів твердотільних конденсаторів надвисокої ємності. Методи дослідження: оптичні (поглинання та відбиття в ІЧ діапазоні), електричні, діелектричні, XPS, та атомних-сил дослідження шаруватих напівпровідникових кристалів групи А3В6 інтеркальованих розплавами сегнетових солей RbNO3 і CsNO3. Розроблено конструкцію пічки для інтеркалювання шаруватих кристалів InSe i GaSe солями MeNO3, (Me = K, Na, Rb, Cs). Досліджені електричні властивості та проведені імпедансні дослідження InSe, інтеркальованого KNO3. Досліджено хімічний склад і морфологію поверхні та проведені XPS дослідження отриманих іонотронних наноструктур InSe − RbNO3. Опис продукції Автори роботи Грехов Василь Михайлович Жирко Юрій Іванович Скубенко Микола Андрійович Додано в НРАТ 2020-11-20 Закрити