Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U103879, 0117U006419 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка прототипу конденсатора надвисокої ємності на базі шаруватих напівпровідникових структур. Назва етапу роботи Керівник роботи Жирко Юрій Іванович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 26-11-2020 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу Об’єкти дослідження: шаруваті напівпровідникові кристали InSe і GaSe інтеркальовані розплавами сегнетових солей MeNO3, (Me = K, Na, Rb, Cs). Мета роботи – Розробка прототипу конденсатора надвисокої ємності на базі шаруватих напівпровідникових структур. Методи дослідження: і) проведені дослідження методик інтеркалювання шаруватих напівпровідникових монокристалів та нанокристалів InSe і GaSe розплавами іонних солей RbNO3, KNO3, NaNO3; іі) на відібраних тестових зразках вивчені оптичні (UV,VIS,IR) від 6,0 – 0,12 еВ, електричні і діелектричні властивості інтеркальованих структур, та (в області енергій фотонів від 20.0 до 0.1кеВ) проведена їх характеризація методами SEM, EDX, XPS, XRD, а також AFM дослідження. Створений на базі інтеркальованих шаруватих напівпровідникових структур Ga(In)Se<(Na,Rb)NO3> прототип твердотільного конденсатора надвисокої ємності суттєво розширює клас матеріалів здатних накопичувати заряди у високій ємності і, за наявності відповідного фінансування (інвестування) подальшої дослідно-конструкторської розробки (R&D), має перспективне практичне застосування при розробці нових технологій виробництва твердотільних суперконденсаторів. Опис продукції Автори роботи Грехов Василь Михайлович Жирко Юрій Іванович Томашук Анатолій Євгенович Додано в НРАТ 2020-11-26 Закрити