Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U104241, 0120U105127 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка експериментального зразка носимого тонкоплівкового термоелектричного генератора з наноструктурованими напівпровідниковими шарами p-CuI і n-ZnO на тканевій і полімерній гнучких основах Назва етапу роботи Керівник роботи Клочко Наталя Петрівна, Дата реєстрації 15-12-2020 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу  Об'єкти дослідження - виготовлені методом послідовної адсорбції і реакції іонних шарів (SILAR) наноструктуровані плівки p-CuI і n-ZnO на поверхні гнучких поліімідних підкладок і тканин із поліестеру і бавовни у якості базових напівпровідникових матеріалів носимого тонкоплівкового термоелектричного генератора. Мета роботи - оптимізація процесу виготовлення методом SILAR наноструктурованих плівок p-CuI і n-ZnO за результатами дослідження їх морфології, хімічного складу, кристалічної структури, ширини забороненої зони, електричних і термоелектричних властивостей. Методи дослідження - рентген-дифрактометричний аналіз XRD, рентгенівський флуоресцентний мікроаналіз (XRF) із енергодисперсійною рентгенівською спектроскопією (EDS), скануюча електронна мікроскопія (SEM), спектрофотометричний метод дослідження оптичної забороненої зони напівпровідникових плівок, чотирьохзондовий метод визначення поверхневого і питомого електричного опору. Результати досліджень: Виготовлені в оптимізованих режимах методу SILAR наноструктуровані плівки p-CuI і n-ZnO на поверхні гнучких поліімідних підкладок і тканин із поліестеру і бавовни, які за стандартних умов мають поверхневий опір R не більше 500 кОм, добре зчеплені з підкладками при розтягуючих і стискаючих напруженнях під час аналізу на згинання із використанням 100 циклів згинання, при цьому критичний радіус згинання дорівнює 1.5 см. Кристалічна структура плівок p-CuI і n-ZnO є нанокристалічною, однофазною і стабільною в умовах експлуатації носимого ТЕГ в інтервалі температур 290-340 К. Питомий електроопір плівок в інтервалі температур 290-340 К не перевищує 0.05 Ом*см для р-CuI, 50 Ом*см для n-ZnO, 0.4 Ом*см для n-ZnO:Іn; коефіцієнт Зеєбека не менший за 80 мкВ/К для р-CuI, 70 мкВ/К для n-ZnO, 50 мкВ/К для n-ZnO:Іn; коефіцієнт термоелектричної потужності сягає 25 мкВт/(м*К2) для р-CuI, 0.4 мкВт/(м*К2) для n-ZnO, 5 мкВт/(м*К2) для n-ZnO:Іn. Опис продукції Автори роботи Зайцев Роман Валентинович Кіріченко Михайло Валерійович Клєпікова Катерина Сергіївна Клочко Наталя Петрівна Копач Володимир Романович Додано в НРАТ 2020-12-15 Закрити