Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0220U104895, 0119U001986 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології виготовлення епітаксійних структур арсеніду галію та діодів Ганна на їх основі для НВЧ електронних систем. Назва етапу роботи Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Доктор технічних наук Дата реєстрації 30-12-2020 Організація виконавець Науково-виробниче підприємство "Електрон-Карат"-дочірнє підприємство ПрАТ "Концерн-Електрон" Опис етапу  Звіт по НДР: 169 с., 1 ч., 14 табл., 72 рис., 0 дод., 75 джерел. ДІОД ГАННА, АРСЕНІД ГАЛІЮ, РІДИННО-ФАЗНА ЕПІТАКСІЯ, НВЧ ВИПРОМІНЮВАННЯ, КОНЦЕНТРАЦІЯ ЕЛЕКТРОНІВ, КОНТАКТНИЙ ШАР, ЕПІТАКСІЙНА СТРУКТУРА Об’єкт дослідження – епітаксійні структури n+-GaAs/i-GaAs/n+-GaAs для діодів Ганна. Мета роботи – відпрацювання технологічних режимів кристалізації контактного шару n+-GaAs, активного і-GaAs шару, що входять до складу епітаксійної структури n+-GaAs/i-GaAs/n+-GaAs для діодів Ганна та різких границь розділу концентрації електронів. Виготовлення дослідних зразків та проведення попередніх та приймальних випробовувань. Методи дослідження – рідиннофазна епітаксія, що використовувалася для кристалізації активних і-GaAs та контактних n+-GaAs шарів в складі епітаксійних структур n+-GaAs/i-GaAs/n+-GaAs для діодів Ганна. Методи C-V електро-хімічного профілювання та ефекту Холла для дослідження електричних параметрів епітаксійних шарів і+-GaAs та n+-GaAs шарів. Оптична мікроскопія. Відпрацьовано технологічні режими кристалізації контактного n+-GaAs та активного і-GaAs шару, що входять до складу епітаксійної n+-GaAs/i-GaAs/n+-GaAs для діодів Ганна та різких границь розділу концентрації електронів. з використанням методу рідиннофазної епітаксії. Розроблені методика контролю товщини шарів та електрофізичних параметрів шарів епітаксійної структури n+-GaAs/i-GaAs/n+-GaAs для діодів Ганна з використанням електро-хімічного профілювання. Розроблена Технологічна інструкція отримання епітаксійних структур n+-GaAs/i-GaAs/n+-GaAs для діодів Ганна, виготовлені дослідні зразки епітаксійних структур та проведені попередні та приймальні випробовування дослідних структур, які підтвердили відповідність параметрів виготовлених структур вимогам Технічного завдання. Підготовлено заключний Звіт по Науково-технічній роботі. Опис продукції Автори роботи Іжнін Ігор Іванович Балюк Лілія Миколаївна Круковський Семен Іванович Притуляк Богдан Богданович Рейкін Борис Олександрович Додано в НРАТ 2020-12-30 Закрити