Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U101726, 0116U004171 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ефекти анізотропії фізичних властивостей кристалічних граток та інженерія на їх основі параметрів напівпровідникових матеріалів і наносистем Назва етапу роботи Керівник роботи Кладько Василь Петрович, Дата реєстрації 25-01-2021 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Представлено методи для ефективного вимірювання деформаційного стану, розподілів концентрації та типу дефектів в AlxGa1-xN НГ та плівках на основі лабораторної Х-променевої дифракції. Проведено детальний аналіз та встановлено механізм зменшення густини гвинтових та крайових дислокацій в GaN плівках, який пояснюється реакціями анігіляції дислокацій при збільшенні товщини буферного шару AlN. На основі теорії дифракції Х-променів представлено ефективний метод для розрахунку товщинних профілів деформації та компонентного складу в градієнтних когерентних AlxGa1-xN плівках. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2021-01-25 Закрити