Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U102107, 0116U002670 , Науково-дослідна робота Назва роботи Високотемпературна надпровідність та конкуруючі упорядкування в неоднорідних матеріалах. Назва етапу роботи Керівник роботи Габович Олександр Маркович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 28-01-2021 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу Об’єкт дослідження - високотемпературні надпровідники з хвилями зарядової густини, розломні тунельні переходи, шаруваті структури з кулонівською взаємодією між зарядами та диполями. Мета роботи - теоретично та експериментально дослідити тунельні розломні переходи, отримані між фрагментами кристалів шаруватих високотемпературних надпровідників, з’ясувати роль хвиль зарядової густини (ХЗГ) та можливість їх виявлення в тунельних експериментах. Теоретично дослідити електростатичну взаємодію між зарядами й диполями в шаруватих структурах і дзеркальні сили, які виникають завдяки різниці діелектричних проникностей. Методи дослідження — метод вимірювання тунельних струмів через розломні переходи (break junctions), скануюча тунельна мікроскопія, метод тунельного гамільтоніана, метод функцій Гріна, метод нелокальної електростатики. Результати - теоретично показано, що наявність просторової неоднорідності параметрів порядку в матеріалі електродів радикально змінює вольт-амперні характеристики (ВАХ) надпровідних оксидів із ХЗГ. А саме, вони згладжуються та стають дуже подібними на ті, які спостерігаються на експерименті. Це було підсумовано у відповідному опублікованому огляді. Розрахунки ВАХ були проведені для некогерентного тунелювання, коли не зберігається імпульс квазічастинки. Це відповідає експериментальною ситуацією при тунелюванні вздовж с-осі кристалів, тобто поперек шарів. Натомість у так званих розломних переходах переважний напрямок струму пролягає вздовж шарів. І тоді квазічастинковий струм є когерентним. Також були проведені відповідні розрахунки. Зокрема, було показано як ефекти неупорядкованості формують ВАХ та як на це впливають повороти кристалів, які відбуваються у випадковий спосіб під час розлому. Результати розрахунків ВАХ добре узгоджуються з проведеними нами експериментами для Bi2Sr2CaCu2O8+δ. Побудовано електростатичну теорію взаємодії зарядів у тришарових середовищах. Опис продукції Автори роботи Бойчук Валерій Миколайович Войтенко Олександр Іванович Габович Олександр Маркович Додано в НРАТ 2021-01-28 Закрити