Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0221U102121, 0116U003742 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фотоелектричні та структурні характеристики легованих нанорозмірних напівпровідникових матеріалів Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Володимир Григорович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 28-01-2021 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу Об’єкт дослідження - напівпровідникові нанорозмірні структури, напівпровідникові квантові точки, металеві наночастинки, структуровані поверхневі шари та приладні структури на їх основі. Методи дослідження - використання методів ІЧ-поглинання, фотолюмінесценції, фотонапруги та електричних методів. Комп'ютерне моделювання фізичних властивостей наноструктур, співставлення теоретичних та експериментальних результатів. Результати: - розроблені оригінальні технології формування нанорозмірних кремнієвих і металевих кластерів та тонких шарів напівпровідників, розміщених як вільній поверхні, так і вбудованих в діелектричні матриці різного типу; - детально досліджені фотоелектричні, люмінесцентні, та поверхневі властивості нанорозмірних напівпровідникових структур, встановлені важливі закономірності фізичних процесів, які протікають в наноструктурах; - запропоновані теоретичні моделі для розрахунків параметрів напівпровідникових нанокристалів та ефективності фотоелектричного перетворення; - досліджені кремнієві структури для використання в якості фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії та сформульовані критерії отримання гранично високих параметрів приладів та встановлено підвищення газочутливості МДН структур при використанні металевих нанокомпозитних каталізаторів, що дозволило сформувати макети датчиків з підвищеною газочутливістю. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єктів дослідження – оптимізація технологій формування систем нанокластерів з заданими параметрами та малим розкидом за розмірам для використання в пристроях наноелектроніки, оптоелектроніки, нанофотоніки, фотоелектрики та сенсорики. НАНОКРИСТАЛИ, КРЕМНІЙ, А2В6, ШАРУВАТІ СТРУКТУРИ, НАНОСТРУКТУРИ, ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ, СЕНСОРИ ГАЗІВ. Опис продукції Автори роботи Євтух Анатолій Антонович Данько Віктор Андрійович Клюй Микола Іванович Корбутяк Дмитро Васильович Костильов Віталій Петрович Додано в НРАТ 2021-01-28 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Литовченко Володимир Григорович. Фотоелектричні та структурні характеристики легованих нанорозмірних напівпровідникових матеріалів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0221U102121
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14