Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U102166, 0116U002886 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кінетичні та оптичні властивості наноструктурних систем опромінених високоенергетичними електронами Назва етапу роботи Керівник роботи Ясковець Іван Іванович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 28-01-2021 Організація виконавець Інститут фізики Національної академії наук України Опис етапу Об’єкт дослідження – процеси дефектоутворення в матеріалах нано- та мікроелектроніки, які відбуваються під дією високоенергетичного опромінення та наступних температурних відпалах. Мета роботи — дослідження радіаційних ефектів в сучасних матеріалах нано- і мікроелектроніки - вуглецевих нанотрубках, відновленому оксиді графену, монокристалічному кремнії, кремній-оксидних плівках nc-Si/SiO2, з метою розширення меж застосування матеріалів та покращення параметрів приладів виготовлених на їх основі. Методи дослідження – експериментальні та теоретичні дослідження процесів утворення, міграції та трансформації дефектів, які виникають внаслідок опроміненні електронами з енергією 1 – 5 МеВ, впливу їх на електричні, оптичні властивості та магнітопровідність матеріалів. Дослідження відбувались з застосуванням інфрачервоної Фур’є, Раман та Оже спектроскопії, вимірів вольт-амперних характеристик, опромінювальних установок. При дослідженні температурної залежності електричного опору пучків вуглецевих нанотрубок опромінених електронами з енергією 1 МеВ виявлено існування відпалу індукованих радіацією дефектів при температурах нижчих за кімнатну. Доведено, що у діапазоні температур 7 – 300 К відпал індукованих радіацією дефектів відбувається згідно реакції першого порядку. При низьких температурах (7–40 К) відпал відбувається безактиваційно, а при температурах (100–300 К) процес відпалу відбувається з енергією активації ~ 0,05 еВ. Встановлено, що в відновленому оксиді графену опроміненому при 300 К спостерігається немонотонна залежність питомого опору від дози опромінення. Дозова залежність пояснюється кількісними змінами в зв’язках sp3, які створюють нові шляхи для електричного струму. В кремнії легованому бором, який зазвичай широко використовується в виробництві сучасних субмікроних приладів та фотоперетворювачів сонячної енергії, виявлено ряд нових дефектів до складу яких входять атоми бору. Опис продукції Автори роботи Войтович Василь Васильович Войціховська Олена Олександрівна Дуванський Андрій Володимирович Маленко Олена Сергіївна Піпко Алла Володимирівна Руденко Роман Миколайович Самочорних Сергій Володимирович Соснін Михайло Георгійович Трипачко Микола Олександрович Хируненко Людмила Іванівна Ясковець Іван Іванович Додано в НРАТ 2021-01-28 Закрити