Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U102438, 0119U102502 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кристалізація GaN на затравці методом температурного градієнту Назва етапу роботи Керівник роботи Румянцева Юлія Юріївна, Дата реєстрації 02-02-2021 Організація виконавець Інститут надтвердих матеріалів ім.В.М.Бакуля Національної академії наук України Опис етапу Виконано літературний огляд існуючих методів отримання GaN та проведено аналіз результатів отриманих в рамках першого етапу. Розглянуто результати отримання кристалів GaN в системі Fe-Ga-N за умов тиску 3-8 ГПа та проаналізовано вплив параметрів вирощування монокристалів на структурну досконалість кристалів GaN. Обрано склади сплавів матеріалу розчинника та технологічні параметри для проведення експериментів з визначення розчинності GaN в цих сплавах за умов високого тиску і температури та окреслення областей де можливе вирощування монокристалів GaN. Опис продукції Автори роботи Савіцький Олександр Володимирович Садова Юлія Іванівна Додано в НРАТ 2021-02-02 Закрити