Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U103117, 0116U008468 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дефекти радіаційного і технологічного походження та їхній вплив на властивості напівпровідникових матеріалів і світлодіодних структур Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 14-02-2021 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис етапу Установлено, що в результаті опромінення швидкими нейтронами з енергією 1 MeB свiтлодiодних структур арсеніду алюмінію-галію відбувається радіаційно-стимульоване зростання прямого струму внаслідок зменшення концентрації основних носіїв заряду та часу життя неосновних носіїв. З'ясовано, що в дифосфіді цинку фосфорні ланцюжки є найчутливішими до дії радіації, оскільки її деструктивний вплив здебільшого стосується частот, властивих коливанням фосфорних квазімолекул. Виявлено, що опромінення дифосфіду кадмію електронами з енергією 14 МеВ, як і у випадку дифосфіду цинку, призводить до початкової деформації краю оптичного поглинання внаслідок впливу хвостів густини станів при малих флюенсах, і до повного його зникнення - при великих. Показано, що відновлення в результаті ізохронного відпалу є безстадійним, характерним для кристалів з великою концентрацією дефектів різних видів. Установлено, що в результаті опромінення кристалів фосфіду галію високоенергетичними електронами, протонами та альфа-частинками на поверхні виникають виступи конічної форми, специфічні для кожного виду радіації, причому їх форма і розміри залежать від маси й енергії частинок. Показано, що максимальна густина таких наноутворень спостерігається в зразках, які містять високу концентрацію точкових дефектів (опромінення електронами). Досліджено мікроплазмові пробої червоних та зелених фосфід-галієвих діодів. Виявлено, що на початку пробою основний внесок у зворотний струм створює тунельна компонента; лавинна складова відіграє основну роль при великих пробійних струмах. Встановлено, що опромінення електронами з енергією 2 МеВ призводить до зменшення числа мікроплазм унаслідок блокування радіаційними дефектами пробійних каналів та збільшення кількості безвипромінювальних рівнів.  Опис продукції Автори роботи Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Конорева Оксана Володимирівна Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2021-02-14 Закрити