Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U103118, 0116U002919 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження змін фізичних властивостей напівпровідників та приладів на їх основі за різної комбінації зовнішніх впливів Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 14-02-2021 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис етапу Установлено, що використання високоенергетичних легких іонів викликає утворення в об'ємі кремнію на глибинах до декількох сотень мікрон упорядкованих шарів різної природи й ширини, пов'язаних із дефектами, що дає змогу змінювати властивості кремнію. Характер дефектоутворення (кількість і ширина виявлених ліній напружень) в умовах опромінення кремнію великими флюенсами іонів залежить від маси й енергії іонів, температури опромінення і властивостей самого кристала. З'ясовано можливості створення надґратки вакансійних пор в опроміненому кремнії з метою одержання нового матеріалу, що має підвищену радіаційну стійкість. Для спрощення досить складної процедури експериментального вимірювання тензотермоерс кристалів n-кремнію в області електрон-фононного захоплення запропоновано й експериментально обґрунтовано методику визначення даної величини на основі значно простіших вимірювань тензоопору з використанням формули, отриманої в теорії анізотропного розсіяння для випадку суто фононного розсіяння. Встановлено, що опромінення електронами з енергією 2 МеВ світлодіодних структур GaP призводить до зростання прямих струмів в області невеликих флюенсів (до 10^15 см^-2) та малих прямих зміщень (не більше 2-3 В). Показано, що радіаційне "поліпшення" ВАХ зумовлене зменшенням контактного потенціалу в результаті часткового вирівнювання рівнів Фермі в базових ділянках світлодіода. Досліджено характеристики вихідних і опромінених електронами з енергією 2 МеВ трьохкомпонентних світлодіодних структур GaAs1-xPx (помаранчевих і жовтих), одержаних на основі твердих розчинів арсеніду галію та фосфіду галію. Виявлено, що ділянки від'ємного диференційного опору на ВАХ є результатом присутності підґратки фосфіду галію в твердому розчині. Встановлено, що радіаційна стійкість арсенід-фосфід галію майже на два порядки вища, ніж у діодів GaP та GaAs.  Опис продукції Автори роботи Єрмольчик Володимир Олександрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Конорева Оксана Володимирівна Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2021-02-14 Закрити