Реєстраційний номер
0221U104074,
0121U108634
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Напівпровідникові низьковимірні та нанорозмірні структури для ТГц детектуван
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Сизов Федір Федорович, д.ф.-м.н.
Дата реєстрації
02-03-2021
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Опис етапу
Вивчення характеристик лінійчастих болометричних приймачів на основі епітаксійних шарів CdхHg1-хТe з приймальними антенами різної конфігурації показало їх чутливість як до неполяризованого, так і до поляризованого випромінювання ТГц діапазону спектра (28 ГГц – 1 ТГц). Дослідження поляризаційних залежностей фотовідгуку епітаксійних структур CdхHg1-хТe виявило ефект зниження симетрії кристалічної гратки внаслідок присутності механічного напруження і зовнішнього електричного поля.
З метою створення детекторів для систем міліметрового бачення на низьковимірних InAs діодах Шоткі з інверсним каналом провідності були проведені попередні дослідження електричних параметрів мезаструктурних p-n переходів на основі InAs. Мезаструктури готували травленням у розчині Br2-HBr і обробляли в травильних композиціях різного складу з метою вивчення впливу хімічних обробок на формування двовимірного інверсного каналу провідності. Встановлено, що поверхневий шунтуючий струм переходів містить омічну і неомічну компоненти, причому неомічна складова зумовлена механізмом струму обмеженого просторовим зарядом. Вказаний механізм провідності раніше був експериментально встановлений у квантових шнурах на основі InAs.
Проведено пошук аналогів і прототипів для розробки конструкції сенсора для систем біорозпізнавання на основі кремнію з нанорозмірними елементами.
Опис продукції
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2021-03-02
