Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U104074, 0121U108634 , Науково-дослідна робота Назва роботи Напівпровідникові низьковимірні та нанорозмірні структури для ТГц детектуван Назва етапу роботи Керівник роботи Сизов Федір Федорович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 02-03-2021 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис етапу  Вивчення характеристик лінійчастих болометричних приймачів на основі епітаксійних шарів CdхHg1-хТe з приймальними антенами різної конфігурації показало їх чутливість як до неполяризованого, так і до поляризованого випромінювання ТГц діапазону спектра (28 ГГц – 1 ТГц). Дослідження поляризаційних залежностей фотовідгуку епітаксійних структур CdхHg1-хТe виявило ефект зниження симетрії кристалічної гратки внаслідок присутності механічного напруження і зовнішнього електричного поля. З метою створення детекторів для систем міліметрового бачення на низьковимірних InAs діодах Шоткі з інверсним каналом провідності були проведені попередні дослідження електричних параметрів мезаструктурних p-n переходів на основі InAs. Мезаструктури готували травленням у розчині Br2-HBr і обробляли в травильних композиціях різного складу з метою вивчення впливу хімічних обробок на формування двовимірного інверсного каналу провідності. Встановлено, що поверхневий шунтуючий струм переходів містить омічну і неомічну компоненти, причому неомічна складова зумовлена механізмом струму обмеженого просторовим зарядом. Вказаний механізм провідності раніше був експериментально встановлений у квантових шнурах на основі InAs. Проведено пошук аналогів і прототипів для розробки конструкції сенсора для систем біорозпізнавання на основі кремнію з нанорозмірними елементами. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2021-03-02 Закрити