Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U104793, 0119U100308 , Науково-дослідна робота Назва роботи Принципи керування оптичними і фотоелектричними властивостями гібридних метал-напівпровідникових плівок та структур нанодіодного типу. Назва етапу роботи Керівник роботи Кондратенко Сергій Вікторович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 13-04-2021 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Об’єкт дослідження – взаємодія електромагнітного випромінювання оптичного діапазону з гібридними метал-напівпровідниковими наноструктурованими плівками, що містять нанорозмірні частинки Ge, SiGe, GeSn, (In,Ga)As, Au, Ag, Cu; фотоелектричні перетворювачі на основі гетероструктур InGaAs/GaAs, SiGe/Si, GeSn/Ge/Si, PEDOT:PSS/Si. Мета дослідження – розробка наукових засад отримання гібридних наноструктурованих плівок з напівпровідниковими і металевими компонентами з наперед заданим комплексом оптичних і фотоелектричних властивостей, а також визначення придатності і доцільності використання зазначених об’єктів в оптоелектроніці і фотовольтаїці. Методи дослідження – спектральна та багатокутна еліпсометрія, спектроскопія фотолюмінесценції, фотоструму, фотое.р.с., нестаціонарна спектроскопія глибоких рівнів, термостимульована провідність, атомносилова мікроскопія, електронна мікроскопія, рентгенівська дифрактометрія, раманівське розсіювання світла, кінетичні та температурні вимірювання фотоелектричних та люмінесцентних характеристик, квантово-механічне моделювання зонної структури та оптичних констант тонких плівок. Розроблено технологію створення та проаналізовано основні оптичні та фотоелектричні властивості оптоелектронних пристроїв на основі бар’єрних структур, що містять метал-напівпровідникові наноструктуровані плівки, багатошарові напівпровідникові гетеропереходи, неорганічно-органічні гетеропереходи з напівпровідниковими і металевими наночастинками. Напрацьовані підходи щодо керованої зміни їх структурно-морфологічних, оптичних, електрофізичних та фотоелектричних властивостей, отримано результати виміру основних характеристик розроблених оптоелектронних пристроїв. Показано, що гетероструктури InGaAs/GaAs та GeSn/Ge/Si можуть бути застосовані як ефективні фоточутливі матеріали середнього та ближнього інфрачервоного діапазону завдяки керованій зміні робочого спектрального діапазону вибором дизайну структур і морфології нанорозмірних плівок.   Опис продукції Автори роботи Даценко Олександр Іванович Деренко Сергій Сергійович Джиган Володимир Миколайович Зеленський Сергій Євгенійович Кованжі Петро Олександрович Колесник Олександр Сергійович Макаренко Олексій Володимирович Недбаєва Людмила Василівна Поперенко Леонід Володимирович Пророк Василь Васильович Розуван Станіслав Генадійович Стащук Василь Степанович Шарапа Андрій Іванович Юргелевич Ірина Владиславівна Яблочков Сергій Михайлович Яблочкова Катерина Сергіївна Ямпольський Андрій Леонідович Додано в НРАТ 2021-04-13 Закрити