Знайдено документів: 2
Інформація × Реєстраційний номер 0221U106611, (0120U102172) , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові можливості скануючої крос-кореляційної зондової та оптичної діагностики локальних електрофізичних, оптичних і магнітних властивостей наноматеріалів та приладних структур для нанофотоніки, п'єзотроніки та спінтроніки Назва етапу роботи Взаємодоповнююча характеризація напівпровідникових нитковидних та приладних гетероструктур з використанням модифікованих методів Кельвін-зонд і провідної мікроскопії та мікрораманівської і фотолюмінесцентної спектроскопії Керівник роботи Литвин Петро Мар'янович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 15-12-2021 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис роботи Розробка новітніх неруйнівних методів нанодіагностики, у тому числі високороздільного просторового картографування структурних і електрофізичних параметрів напівпровідникових матеріалів та систем пониженої розмірності методами струмочутливої, електросилової та магнітносилової зондової мікроскопії і конфокальної оптичної спектроскопії. Опис етапу  Виявлено неоднорідності просторового розподілу деформаційних полів в 1D наногетероструктурах GaN/AlxGa1-xN/GaN з суттєвою релаксацією деформацій всередині, як в радіальному, так і в аксіальному напрямку від інтерфейсу вставок GaN/AlxGa1-xN. Показано, що зарощування бічних граней нанониток викликає неоднорідність деформацій і спричиняє появу додаткових аксіальних механічних напружень та п’єзо поляризаційні ефекти й ефекти акумулювання електронів на границях аксіальних шарів. На прикладі структур GeSn/Ge/Si показано вплив їх фазовоструктурних неоднорідностей на характер локалізації поверхневого потенціалу та носіїв заряду. Виявлено ефекти інверсії типу провідності нитковидних структур GeSn під дією електричного поля зонду мікроскопу. Опис продукції Автори роботи Коломис Олександр Федорович Корчовий Андрій Адамович Литвин Петро Мар'янович Ніколенко Андрій Сергійович Прокопенко Ігор Васильович Стрельчук Віктор Васильович Додано в НРАТ 2021-12-15 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Литвин Петро Мар'янович. Нові можливості скануючої крос-кореляційної зондової та оптичної діагностики локальних електрофізичних, оптичних і магнітних властивостей наноматеріалів та приладних структур для нанофотоніки, п'єзотроніки та спінтроніки. (Етап: Взаємодоповнююча характеризація напівпровідникових нитковидних та приладних гетероструктур з використанням модифікованих методів Кельвін-зонд і провідної мікроскопії та мікрораманівської і фотолюмінесцентної спектроскопії). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0221U106611
Інформація × Реєстраційний номер 0221U106611, (0120U102172) , Науково-дослідна робота Назва роботи Нові можливості скануючої крос-кореляційної зондової та оптичної діагностики локальних електрофізичних, оптичних і магнітних властивостей наноматеріалів та приладних структур для нанофотоніки, п'єзотроніки та спінтроніки Назва етапу роботи Взаємодоповнююча характеризація напівпровідникових нитковидних та приладних гетероструктур з використанням модифікованих методів Кельвін-зонд і провідної мікроскопії та мікрораманівської і фотолюмінесцентної спектроскопії Керівник роботи Литвин Петро Мар'янович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 15-12-2021 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис роботи Розробка новітніх неруйнівних методів нанодіагностики, у тому числі високороздільного просторового картографування структурних і електрофізичних параметрів напівпровідникових матеріалів та систем пониженої розмірності методами струмочутливої, електросилової та магнітносилової зондової мікроскопії і конфокальної оптичної спектроскопії. Опис етапу  Виявлено неоднорідності просторового розподілу деформаційних полів в 1D наногетероструктурах GaN/AlxGa1-xN/GaN з суттєвою релаксацією деформацій всередині, як в радіальному, так і в аксіальному напрямку від інтерфейсу вставок GaN/AlxGa1-xN. Показано, що зарощування бічних граней нанониток викликає неоднорідність деформацій і спричиняє появу додаткових аксіальних механічних напружень та п’єзо поляризаційні ефекти й ефекти акумулювання електронів на границях аксіальних шарів. На прикладі структур GeSn/Ge/Si показано вплив їх фазовоструктурних неоднорідностей на характер локалізації поверхневого потенціалу та носіїв заряду. Виявлено ефекти інверсії типу провідності нитковидних структур GeSn під дією електричного поля зонду мікроскопу. Опис продукції Автори роботи Коломис Олександр Федорович Корчовий Андрій Адамович Литвин Петро Мар'янович Ніколенко Андрій Сергійович Прокопенко Ігор Васильович Стрельчук Віктор Васильович Додано в НРАТ 2021-12-15 Закрити
НДДКР ОК
1
Керівник: Литвин Петро Мар'янович. Нові можливості скануючої крос-кореляційної зондової та оптичної діагностики локальних електрофізичних, оптичних і магнітних властивостей наноматеріалів та приладних структур для нанофотоніки, п'єзотроніки та спінтроніки. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України. № 0221U106611
Знайдено документів: 2

Оновлено: 2026-03-22