Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U106777, 0121U112812 , Науково-дослідна робота Назва роботи Стрейнтроніка квазидвовимірних матеріалів з дефектами: компланарні гетероструктури у порівнянні з ламелярними Назва етапу роботи Керівник роботи Радченко Тарас Михайлович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 20-12-2021 Організація виконавець Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова Національної академії наук України Опис етапу Розвинуто сучасну концепцію «деформаційної інженерії» («стрейнтроніки») із застосуванням комплексу створених та імплементованих комп’ютерних програм для розрахунків електронної структури і транспортних характеристик, спотворених зовнішнім магнітним полем і механічними напруженнями, графено- та фосфореноподібних шарів і структур на їх основі з точковими і лінійними дефектами. Розподіли точкових дефектів можуть спричиняти низку ефектів: змінювати тип основних носіїв струму, індукувати заборонену зону в енергетичному спектрі, істотно модифікувати вигляд електронно-концентраційної залежності провідності, поліпшувати функціональність 2D-матеріалу, змінюючи електропровідність у десятки разів, посилювати чи послаблювати (й навіть повністю пригнічувати) асиметрію між електронною та дірковою провідностями. Оптимізувавши комп’ютерну програму розрахунку густини електронних станів та розрахувавши густини електронних станів деформованого фосфорену, з’ясовано, що деформації зсуву та розтягу, а також їх комбінації є потужним інструментом для досягнення нового рівня функціоналізації квази-2D-матеріалів з точки зору їх практичного використання як елементів наноелектроніки. Це стосується поліпшення їх електротранспортних властивостей шляхом реґулювання ширини забороненої зони, достатньої для перетворення графенового (фосфоренового) матеріалу з напівметалічного (напівпровідникового) стану з відсутньою (наявною) щілиною у спектрі у напівпровідниковий (напівметалічний) стан з регульованим значеннями ширини забороненої зони, що є оптимальним для використання у якості альтернативного матеріалу наноелектроніки. Опис продукції Автори роботи Соломенко Анастасія Геннадіївна Додано в НРАТ 2021-12-20 Закрити