Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0221U106816, 0116U008468 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дефекти радіаційного і технологічного походження та їхній вплив на властивості напівпровідникових матеріалів і світлодіодних структур Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 21-12-2021 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис етапу Унаслідок опромінення швидкими нейтронами реактора з енергією 2 МеВ встановлено зростання ймовірності тунельного пробою в зелених фосфід-галієвих (GaP) світлодіодах та лавинного – в червоних. У результаті опромінення свiтлодiодних структур арсеніду алюмінію-галію (AlxGa1-xAs) швидкими нейтронами реактора з енергією 1 MeB виявлено радіаційно-стимульоване зростання прямого струму, зумовлене зменшенням концентрації основних носіїв заряду та часу життя неосновних носіїв унаслідок радіаційного введення пасток. Досліджено оптичні характеристики світлодіодів арсенід-фосфід галію (GaAs1-xPx) вихідних та опромінених електронами з енергією 2 МеВ флюенсами 10^15-10^16 см^-2. Виявлено значно вищу радіаційну стійкість цих світлодіодів порівняно з їх фосфід-галієвими аналогами. Встановлено подвійний вплив ультразвукової обробки на GaP світлодіоди: з одного боку, руйнування екситонів, зв'язаних на комплексі Zn-O, та формування дислокаційних сіток і рухомих дислокаційних пакетів, котрі є областями безвипромінювальної рекомбінації, а з іншого боку, сприяння відпалу радіаційних дефектів у зразку і зменшенню кількості мікроплазм. Показано перспективність використання ультразвукових хвиль для поліпшення характеристик GaP світлодіодів з високою концентрацією дефектів, особливо опромінених швидкими частинками. Досліджено особливості рельєфу поверхні фосфіду галію, який формується під впливом різних видів радіації. Виявлено на поверхні кристалів GaP, опромінених високоенергетичними електронами, протонами та альфа-частинками, наногорби (нановиступи), форма і розміри яких були специфічними для кожного виду радіації і залежали від маси й енергії частинок. Узагальнено результати досліджень впливу опромінення, термообробки і направленої пружної деформації на властивості монокристалічного n-кремнію. В опроміненому нейтронами кремнії одержано скорочення часу преципітації кисню завдяки додатковому введенню зародків преципітатів за участі первинних радіаційних дефектів, створених опроміненням.  Опис продукції Автори роботи Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2021-12-21 Закрити