Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0222U000829, 0116U002919 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження змін фізичних властивостей напівпровідників та приладів на їх основі за різної комбінації зовнішніх впливів Назва етапу роботи Керівник роботи Гайдар Галина Петрівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 19-01-2022 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень Національної академії наук України Опис етапу Встановлено, що в разі високоенергетичного опромінення великими флюенсами іонів водню й гелію утворення дефектів проходить через стадію упорядкування. Показано, що наявність дислокацій у Si в процесі опромінення іонами дейтерію призводить до їхнього руху і перетину смуги гальмування внаслідок утворення дефектів пакування. Досліджено оптичні властивості поверхневих композитів «метал-діелектрик (напівпровідник)», отриманих впровадженням плазмон-активних наночастинок Au на модифіковану шорстку поверхню Si або в пористий шар SiO2 на поверхні Si. Встановлено особливості топології розподілу наночастинок Au залежно від типу поверхні та параметрів термовідпалу. Показано можливість керовано змінювати оптичні параметри композитів при впровадженні/нанесенні наночастинок Au у пористу матрицю та додаткових термовідпалах. На основі аналізу результатів ізохронного відпалу опромінених кристалів A^3B^5 зроблено висновок про існування в них процесів самоорганізації, властивих нерівноважним системам. Головною особливістю таких об’єктів є формування мікропустот зі зниженою електронною густиною. Досліджено властивості світлодіодів GaAsP, опромінених 2 МеВ електронами. З'ясовано, що радіаційна деградація інтенсивності електролюмінесценції є результатом уведення в кристал безвипромінювальних рівнів радіаційних дефектів та руйнування їхніми полями основних центрів свічення – зв’язаних екситонів. Виявлено, що ділянки від'ємного диференційного опору на ВАХ є результатом присутності підґратки GaP у твердому розчині. Встановлено, що радіаційна стійкість GaAsР майже на два порядки вища, ніж у діодів GaP та GaAs. Досліджено вплив кисню та вуглецю на магнітні, мікромеханічні і структурні властивості кристалів Cz-Si після їх термічної обробки при 700–1100^oС. Виявлено кореляцію між змінами магнітної сприйнятливості, мікротвердості та перебудовою структурних дефектів у кристалах після їх термообробки. Оцінено концентрації та розміри магнітно впорядкованих кластерів.   Опис продукції Автори роботи Єрмольчик Володимир Олександрович Варніна Валентина Іванівна Воробйов Володимир Герасимович Литовченко Петро Григорович Макуха Олександр Миколайович Малий Євген Вікторович Пінковська Мирослава Богданівна Петренко Ігор Віталійович Старчик Маргарита Іванівна Тартачник Володимир Петрович Додано в НРАТ 2022-03-09 Закрити