Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0222U000976, 0121U111035 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка новітніх тонкоплівкових матеріалів оптоелектроніки на основі зв’язаних гібридів квантових точок і двовимірних наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Кондратенко Сергій Вікторович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 22-01-2022 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Об’єкт дослідження – взаємодія електромагнітного випромінювання оптичного діапазону з гібридними 2D-0D наноструктури дихалькогенідів перехідних металів та напівпровідникових квантових точок. Предмет дослідження – поглинання світла, механізми фотоперетворення та фотолюмінесценції, процеси фотогенерації та рекомбінації носіїв заряду в гібридних 2D-0D наноструктурах дихалькогенідів перехідних металів та напівпровідникових квантових точок. Мета дослідження – розробка наукових засад виготовлення тонких плівок на основі гібридних 2D-0D наноструктур дихалькогенідів перехідних металів та напівпровідникових квантових точок на підкладки різного типу, визначення морфології, оптичних та фотоелектричних властивостей отриманих плівок і встановлення таким чином їх придатності для виготовлення оптоелектронних пристроїв. Методи дослідження – спектроскопія фотолюмінесценції та фотопровідності, атомно-силова мікроскопія, оптична мікроскопія, раманівське розсіювання світла, температурні вимірювання люмінесцентних характеристик. Встановлено взаємозв’язок між морфологію, оптичними та локальними електричними властивостями тонких плівок з гібридними 2D-0D наноструктурами. Методами спектральної еліпсометрії, спектроскопії фотопровідності та фотолюмінесценції досліджено комплекс оптичних характеристик гібридних плівок, виготовлених на діелектричних (скло) та напівпровідникових (Si) підкладках. Встановлено взаємозв’язок між структурно-морфологічними, оптичними та електричними характеристиками тонких плівок з окремими 2D флейками MoS2, зв’язаними з нанокластерами AgInS2. Проведено моделювання оптичного відгуку гетеросистем MoS2, - AgInS2 з врахуванням спектра екситонних станів напівпровідникових наноструктур, що дозволило визначити енергії зв’язку екситона та визначити внесок інтерпфейсних станів. Опис продукції Автори роботи Бабіч Данило Павлович Даценко Олександр Іванович Лунько Тетяна Сергіївна Микитюк Анастасія Олександрівна Поперенко Леонід Володимирович Ямпольський Андрій Леонідович Додано в НРАТ 2022-03-09 Закрити