Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0222U005264, 0119U001192 , Науково-дослідна робота Назва роботи Синтез, структура та властивості нових тетрарних халькогенідів для термо- та оптоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Кітик Іван Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 27-12-2022 Організація виконавець Волинський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу  Методом порошкової рентгенівської дифракції досліджено два ізотермічні перерізи систем Tl2Se–CdSe–Ge(Sn)Se2 при 570 К. Було підтверджено існування сполуки Tl2CdSnSe4. Вперше проведено успішний синтез монокристала Tl2CdSnSe4. Вперше встановлено утворення нових почетверенних сполук Tl2CdGe3Se8 і трьох ізоструктурних халькогенідів Tl2CdGeSe4, Tl2CdSiTe4, Tl2HgSiTe4. Склад Tl2CdGe3Se8 підтверджено SEM та EDS. Визначено кристалічну структуру сполук типу Tl2ВIIDIVX4. Виконано комплексне експериментальне та теоретичне дослідження електронних властивостей та оптичних констант. Отримані експериментальні XPS-вимірювання поверхні кристала Tl2CdSnSe4, Tl2HgSnS4 опроміненої Ar+-іонами середньої енергії, і дані теоретичних розрахунків DFT показують, що, незважаючи на досить небезпечні складові хімічні елементи, талій і кадмій, поверхня кристала є досить стабільна і в поєднанні з відповідною шириною забороненої зони робить досліджуваний почетверенний селенід дуже перспективним напівпровідником для використання в тонкоплівкових сонячних елементах і оптоелектроніці, а також у високоефективних фотокаталітичних пристроях. Методами фізико-хімічного аналізу проведено дослідження ряду квазіпотрійних систем типу Tl2Se–Ga(In)2Se3–SnSe2 та побудовано їх ізотермічні перерізи при 520 К в повному концентраційному інтервалі. Встановлено існування 2 нових сполук Tl2Ga2SnSe6 і Tl5,6InSn6,7S17,6. Встановлено, що досліджувані кристали є фоточутливими матеріалами, що дозволяє використовувати дані кристали для розробки фоторезисторів, фотодіодів та інших приладів оптоелектроніки. Були синтезовані два нових селеніди Tl2Ga2SnSe6 й Tl2Ga2GeSe6. Дослідження НЛО властивостей третього порядку показали, що генерація третьої гармоніки чутлива для зовнішнього фотоіндукуючого опромінення. Таким чином, спостерігається рідкісна можливість модулювати інтенсивність сигналу ГТГ, що дозволяє розглядати ці сполуки як новий тип нелінійно-оптичних лазерних модуляторів. Опис продукції Автори роботи Замуруєва Оксана Валеріївна Кітик Іван Васильович Мирончук Галина Леонідівна Піскач Людмила Василівна Пясецький Міхал Войцех Хижун Олег Юліанович Додано в НРАТ 2022-12-27 Закрити