Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0223U000253, 0120U101332 , Науково-дослідна робота Назва роботи Модифікація оптичних властивостей кремнієвих структур та РЗМ-вмісних матеріалів на основі оксидів і халькогенідів методами плазмонного резонансу Назва етапу роботи Керівник роботи Кушлик Маркіян Олегович, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 05-01-2023 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу  Об’єкт дослідження: Ga2O3 леговані іонами перехідних металів (ПМ) та рідкісно-земельними елементами (РЗЕ); гранати на основі (Mg, Ca) - (Al, Ga, In, Zr, Hf, Si, Ge, Sn, V), леговані іонами Bi3+; поверхнево-бар’єрні та світло-випромінюючі структури на основі p-Si; халькогенідні склоподібні напівпровідники леговані іонами РЗЕ; плазмонні структури на основі наночастинок (НЧ) металів (Au, Ag, Al, Ni). Мета роботи: модифікація нових та вже існуючих матеріалів фотоніки, дослідження сенсорних, електрофізичних та оптико-люмінесцентних властивостей об’єктів дослідження, при наноструктуруванні їх поверхні металічними НЧ для підвищення ефективності новітніх сенсорів іонізуючого випромінювання, температури, а також світлодіодів білого свічення. Методи досліджень: проводилась плазмонна модифікація матеріалів (YAG, GGG, Ga2O3, Si) методами магнетронного напилення та механо-хімічного синтезу. Дослідження структур здійснювалось за допомогою комп’ютерного моделювання, спектрально-люмінесцентних методів, мікроскопії, структурних досліджень матеріалів, а також вимірювання їх електрофізичних характеристик. Отримані результати. Проведені дослідження дозволили запропонувати технологічні деталі виготовлення плазмонних наноструктур та встановити механізми взаємодії НЧ, в умовах навколишнього середовища. Вперше здійснені дослідження низькотемпературних змін оптичних властивостей плазмонної структури (YAG/GGG:Bi,Ce,Yb + НЧ Ag) та продемонстровано можливість їхнього використання в якості безконтактних сенсорів температури. Продемонстровано можливість створення, на основі модифікованого кремнію, високоякісних детекторів УФ-, ІЧ-випромінювання та підвищення ефективності наявних сонячних елементів. Отримано новітні світлочутливі середовища на основі аморфних еквіхалькогенідних плівок (Ge20Sb20S20Se20Te20) з характеристиками перспективними для застосування в сенсориці та фотоелектричній техніці. Опис продукції Автори роботи Булик Лев-Іван Ігорович Кравець Олег Петрович Кушлик Маркіян Олегович Магльований Богдан Дмитрович Малий Тарас Сергійович Слободзян Дмитро Петрович Цюмра Володимир Богданович Шпотюк Ярослав Олегович Додано в НРАТ 2023-01-05 Закрити