Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0223U000385, 0122U000605 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізико-хімічні аспекти формування напівпровідникових халькогенідних нанокристалів різної морфології у системах Bi(Sn)–As–S та Ag–In(Ga)–S і модифікація їх характеристик зміною технологічних параметрів одержання та іонізуючим випромінюванням Назва етапу роботи Керівник роботи Ажнюк Юрій Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 06-01-2023 Організація виконавець Інститут електронної фізики Національної академії наук України Опис етапу Методом атомної силової мікроскопії виявлено деформацію поверхні аморфної плівки As2S3 під дією світла з області прозорості, яка є проявом гігантського фоторозширення плівки. При опроміненні світлом з області поглинання на поверхні формуються обумовлені гігантським фоторозширенням та напрямленим перенесенням маси заглибина (внаслідок дії градієнтної оптичної сили) та протрузія, зміщена в напрямку поширення пучка (внаслідок дії оптичної сили розсіювання). Хвилевідним методом досліджено динаміку запірного ефекту та поведінку показника замовлення у свіжонапилених аморфних плівках AsxS100-x (15≤x<30) при опроміненні світлом з області поглинання. Виявлені особливості кінетики фотоіндукованих змін показника замовлення та часових характеристик запірного ефекту обумовлені зростанням сили міжатомних зв'язків та зменшенням поляризовності. Помітно розширено композиційний інтервал існування склоподібної фази (As1–xBix)2S3, отримано скла з 0<x<0.2. Їх аморфний характер та відсутність кристалічних включень підтверджено даними раманівської спектроскопії. Виявлено фотохімічні процеси на поверхні (As1–xBix)2S3, обумовлені фотоіндукованою взаємодією сірки з адсорбованими атомами азоту та вуглецю. Синтезом твердих розчинів (As2S3)х(Bi2S3)1-х з х від 0.04 до 0.14 i подальшим відпалом при 220–310 С отримано об’ємні композити з нанокристалами Bi2S3, що підтверджено рентгеноструктурним аналізом. Виявлено зміщення краю оптичного поглинання в бік нижчих енергій при введенні Bi2S3в скло та термообробці. Методом колоїдного синтезу у водних розчинах при помірних умовах отримано нанокристали AgInS2 та Ag–Ga–S, вкриті глутатіоном. На основі даних рентгенівської дифрактометрії та атомної силової мікроскопії визначено середній розмір нанокристалів (близько 2 нм). Розділені за розміром нанокристалів фракції характеризуються урбахівським краєм поглинання та інтенсивною широкосмуговою фотолюмінесценцією. Показано, що нанокристали Ag–Ga–S мають метастабільну кристалічну структуру і є непрямозонними. Опис продукції Автори роботи Биров Микола Миколайович Войнарович Іван Миколайович Гасинець Степан Михайлович Гомоннай Олександр Васильович Кришеник Володимир Михайлович Лопушанська Богдана Володимирівна Лопушанський Василь Володимирович Лоя Василь Юрійович Маслюк Володимир Трохимович Соломон Андрій Михайлович Чичура Іван Іванович Додано в НРАТ 2023-01-06 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Ажнюк Юрій Миколайович. Фізико-хімічні аспекти формування напівпровідникових халькогенідних нанокристалів різної морфології у системах Bi(Sn)–As–S та Ag–In(Ga)–S і модифікація їх характеристик зміною технологічних параметрів одержання та іонізуючим випромінюванням. (Етап: ). Інститут електронної фізики Національної академії наук України. № 0223U000385
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17